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第一次仿真报告仿真题目用IV分析仪（IV Analyser）测量二极管的伏安特性和晶体管的输出特性。利用Multisim研究下图1所示的电路在R的阻值变化时二极管的直流电压和交流电流的变化，并总结仿真结果。（提示:二极管采用实际二极管，如1BH62；其他元件可采用虚拟元件。）利用Multisim研究下图2所示电路中的晶体管在为何值时从截止状态变为导通状态，为何值时从放大状态变为饱和状态。（提示：晶体管采用实际晶体管，如2N2222A其他元件可以采用虚拟元件。）图1图2理论分析1、①二极管特性伏安特性曲线理论分析：二极管的核心部分为PN结，当外加电压极性不同时候，PN结表现出截然不同的导电特性，即呈现单向导电性。当电源正极接到P端，负极接到N端时，也即二极管接正向电压，则外电场将多数载流子推向空间电荷区，时期变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使得扩散运动加剧，漂移运动减弱。由于电源的作用，扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。使得二极管开始导通的临界电压成为开启电压，正向电压大于开启电压之后，电流将呈现线性增长特性。而当PN结P端接负极，N端接正极时，也即二极管接反向电压，则外电场使得空间电荷区变宽，阻止了扩散运动的进行，而加剧漂移运动的进行，形成反向电流。所以当二极管所加反向电压足够大时，反向电压为。反向电压太大将使得二极管被击穿。击穿后电流将急剧增加。②晶体管输出特性曲线理论分析：对于每一个确定的，与之间都存在着相对应的函数关系。所以其输出特性是一族曲线。对于某一条曲线，当从零逐渐增大时，集电结电场随之增强，收集基区非平衡少子的能力逐渐增强，因而也就逐渐增大。而当增大到一定数值时，集电结电场足以将基区非平衡少子的绝大部分收集到集电区来，，收集能力已不能明显提高，表现为曲线几乎平行于横轴，即几乎仅仅决定于。而当，则晶体管处于截止区，此时。当时，晶体管处于放大区，。时，则晶体管处于饱和区，此时增大而增大，。2、R值对于直流电压和交流电流的变化的理论分析：①当R值增大的时候，则在直流通路中，电流将不断变小，而从二极管的伏安特性曲线中我们可以知道，此时二极管的两端电压将会降低。也即直流电压将逐渐减小。②当R值增大的时候，则其静态直流工作点电流将减小，又由交流时动态电阻的公式可知，后，则将增大，所以此时由可知3、假定该晶体管的导通电压，那么我们由晶体管处于各个状态时的电压不等式可知道，当时，晶体管处于截止状态。下面我们假定晶体管处于放大状态，则此时电压要满足，又有下面两个等式带入不等式中，取，则可得。所以我们得到以下结论当时，晶体管处于截止状态，当时，晶体管处于放大状态，当时，晶体管处于饱和状态。仿真结果分析①仿真结果见下图3-1-1,3-1-2，3-1-3 图3-1-1图中竖的红线代表y轴。 图3-1-2此图为第一幅图的局部放大图。 图3-1-3此图为第一幅图二极管反向偏置时的局部放大从仿真结果中我们可以看出将局部放大后我们可以清楚地看到正向偏置时二极管和我们分析的一样具有一定的开启电压，而且超过开启电压后，其伏案特性显现指数关系。而反向偏置时，则显现很好的单向导电性，其反响电流很小，基本与理论分析的一致。在一定电压范围内有反向电流，但是相当小。②仿真结果见下图3-1-4 图3-1-4从仿真结果中我们可以清晰地看到每种颜色的线代表不同的值，而每条线都表示与之间的函数关系，所以和我们的分析的相同，对于每一个确定的，与之间都存在着相对应的函数关系。所以其输出特性是一族曲线。但是不同的是，当继续增大的时候，还是会继续增大，只是增大的速率变小了，并不是像理论分析中所说的那样是一条平行线。仿真结果见下图3-2-1,3-2-2,3-2-3,3-2-4 图3-2-1从参数扫描结果我们可以清楚的看到当R值增大的时候，其直流电压在减小，这和我们分析的结果一致。 图3-2-2 图3-2-3 图3-2-4以上三张图分别利用万用电表显示出当R值分别为500，800时，通过二极管的交流电流值。从中我们可以看到，随着R值的增大，交流电流在变小。这符合我们的分析。仿真结果见下图3-3-1,3-3-2 图3-3-1图3-3-2 图3-3-2是3-3-1的在0.6V到1.3V之间的局部放大图，两个标尺所围的范围为线性比较好的地方。利用直流扫描我们得到上图，其横坐标也即自变量为，纵坐标为，仿真结果表明，当时，输出电压基本不变，且值几乎等于电源电压12V，这说明此时晶体管处于截止