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数电_第三章
数字电子技术基础
第三章 门电路
第1页/总126页
数字电子技术基础
主 要 内 容
半导体基础知识(复习)
半导体二极管门电路
CMOS 门电路(重点 )
TTL 门电路(重点 )
第2页/总126页
数字电子技术基础
复习:半导体基础知识
第3页/总126页
数字电子技术基础
半导体基础知识 两种载流子
本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体。
常用:硅Si,锗Ge
第4页/总126页
数字电子技术基础
半导体基础知识
杂质半导体(5价磷)
N型半导体
多子:自由电子
少子:空穴
第5页/总126页
数字电子技术基础
半导体基础知识
杂质半导体(3价硼)
P型半导体
多子:空穴
少子:自由电子
第6页/总126页
数字电子技术基础
半导体基础知识
PN结的形成
空间电荷区(耗
尽层)
扩散和漂移
第7页/总126页
数字电子技术基础
半导体基础知识
PN结的单向导电
性
外加正向电压
第8页/总126页
数字电子技术基础
半导体基础知识
PN结的单向导电
性
外加反向电压
第9页/总126页
数字电子技术基础
半导体基础知识
PN结的伏安特性
正向导通区
反向截止区
v
V
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