具有TiN过渡层的Si基NbN薄膜的制备与性能（Preparation and properties of Si based NbN thin films with TiN transition layer）.pdfVIP

具有 TiN 过渡层的 Si 基 NbN 薄膜的制备与性能 中文摘要 目前，超导氮化铌（NbN ）薄膜是制备高性能单光子超导器件（SSPD）和超导 热电子测辐射热仪（HEB ）的首选超导材料，受到广泛的研究和关注。NbN 具有较 高的超导临界转变温度（Tc16 K ）和临界电流密度。通常，采用磁控溅射的技术 在和 NbN 晶格常数相近的单晶基片（如MgO ）上生长出高质量的 NbN 薄膜。但是， MgO 基片在 THz 频段损耗较大，同时微纳加工较困难。硅基 NbN 薄膜器件相比 MgO 基器件其主要优势在于：①工作在 THz 频段损耗极低；②微纳加工工艺技术 成熟；③容易实现超导探测器件与半导体器件的集成；④成本较低。 但是，由于 NbN 与 Si 基片的晶格失配度较大（19﹪），导致硅基NbN 薄膜很 难实现外延生长，使其超导性能严重下降。本工作提出使用氮化钛（TiN ）作为 Si 和 NbN 的过渡层的设想：一方面，两者均为面心立方结构，晶格常数相近，因此 TiN 过渡层有利于 NbN 的生长；另一方面，TiN 中的 Ti 和 N 两个元素在制备过程 中即使扩散到NbN 薄膜，不仅不会损害反而有利于提高其超导性能。 本实验采用直流反应磁控溅射法在 Si(100) 基片上来制备 TiN 和 NbN 薄膜，首 先我们对制备 TiN 薄膜的工艺参数进行了优化，所制备的 TiN 薄膜的质量与薄膜制 备时的沉积压强、氮气和氩气的流量比、沉积时的功率等工艺参数密切相关，其次 我们使用优化后的 TiN 薄膜作为 Si 基片上生长 NbN 薄膜的过渡层。通过 XRD 、 AFM 、SEM、TEM、PPMS 等测试手段对 NbN/TiN/Si(100) 双层薄膜的相结构、表 面形貌、界面形貌和超导性能进行了表征。 实验结果表明：TiN 过渡层上生长的 5-80nm 厚的 NbN 薄膜的超导转变温度比 直接在 Si(100) 基片上生长的薄膜提高了 1-3k 左右。我们对 TiN 薄膜作为生长 NbN 薄膜的过渡层可以提高 NbN 薄膜的超导性能这一现象作出了解释，使 NbN 薄膜超 导性能提高的原因有三点；其一是 TiN 薄膜过渡层的存在为 NbN 薄膜的生长提供 了晶格匹配的模板；其二是 TiN 薄膜过渡层的存在提高了 NbN 薄膜的结晶性能； I 其三是 TiN 薄膜过渡层的存在减小了 NbN 薄膜与基片的界面层的厚度。这些都是 提高 NbN 薄膜超导性能的重要原因。 本文的研究为进一步提高 NbN 薄膜转变温度和成膜质量提供了有用的实验依 据。 关键词：NbN 薄膜；TiN 过渡层；Si 基片；磁控溅射；超导特性 作 者：郑 磊 指导教师：苏晓东 II Preparation and Characterization of NbN thin films on Si substrate by using a TiN buffer layer Abstract At present, the superconducting niobium nitride (NbN) film is a promising material for use in the preparation of high performance superconducting single-photon detector (SSPD) and hot electron bolometers (HEB). NbN film has high superconducting critical temperature (Tc 16 K) and critical current dens