第二讲半导体材料.pdfVIP

课程计划和参考资料 主要内容 1.能带模型下的半导体材料及其掺杂特性 2.硅和锗的基本化学性质 3.锗的提纯及其方法 4.硅的提纯及其方法 5.多晶硅的特性及用途 课程计划和参考资料 主要内容 1.能带模型下的半导体材料及其掺杂特性 2.硅和锗的基本化学性质 3.锗的提纯及其方法 4.硅的提纯及其方法 5.多晶硅的特性及用途 Basic properties of Si and Ge Si Ge Position IV IV Atomic number: 14; 32 Atomic weight: 28.09; 72 Melt point: 1420 °C; 937 Intrinsic resistivity: 2.3x105 50 Crystal Lattice(nm) 0.5431 0.5657 金属、绝缘体、半导体的能带特征 导带 E g E g 价带 金属 绝缘体 半导体 半导体能带结构的基本特征 －直接带隙和间接带隙半导体 直接带隙 间接带隙 半导体中的载流子－电子和空穴 传导电子 E 跃迁 g 空穴 本征半导体－不含杂质的半导体 k T 3/ 4 Eg / 2kB T n p 2( B )(m m ) e i i 2 h e  导带 2 