第五章 存储器原理与接口1 2014版.pdf

第五章存储器原理与接口 5.1 存储器分类 5.2 存储器结构 5.3 80x86CPU存储体系 5.4 8086系统的存储器接口 5.5 高速缓冲存储器 5.1 存储器分类 一、有关存储器几种分类  存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器 5.1 存储器分类  半导体存储器按存取方式分类  随机存储器RAM (Random Access Memory)  只读存储器ROM （Read-Only Memory ）  串行访问存储器(Serial Access Storage) 5.1 存储器分类 按在计算机中的作用分类 主存储器( 内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器 5.1 存储器分类 二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM 5.1 存储器分类 二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a. 静态RAM （ECL ，TTL，MOS ） b. 动态RAM 5.1 存储器分类 2 、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM 2 d. 可用电擦除、可编程的E PROM等 5.1 存储器分类 可用紫外线擦除、可编程的EPROM Vcc 位 线 输 行线 出 绝缘层 D 浮栅管 浮动栅雪崩注入式 S 位线 MOS管 5.1 存储器分类 编程 使栅极带电 擦除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所 有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄 放掉，使浮栅恢复初态。 一般照射20～30分钟后，读出各单元的内 容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除。 2 可用电擦除、可编程的E PROM 浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide) ：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳 7 米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于10 V/cm时 隧道区双向导通。 当隧道区的等效电容 极小时，加在控制栅和 漏极间的电压大部分降 在隧道区，有利于隧道