半导体制程04.ppt

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 4晶圓製造和磊晶成長 Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@ 教學目標 說明為何矽比其他半導體材料更被普遍及採用的兩個理由 列出單晶矽所偏愛的兩種晶向 列出從砂形成矽的基本步驟 敘述CZ法和懸浮帶區法 解釋矽磊晶層沉積的目的 敘述磊晶矽沉積的製程 晶體結構 非晶態結構 原子排列完全沒有重複的結構 多晶態結構 原子排列有一些重複的結構 單晶態結構 原子排列全部以相同結構重複 非晶體結構 多晶態結構 單晶態結構 為何要用矽? 豐度高, 便宜 二氧化矽非常穩定,強介電質,容易在熱氧化過程中成長一層二氧化矽. 較大的能隙,操作溫度的範圍較大. 矽元素的性質 單晶矽晶格結構的晶胞 晶向平面: 100 晶向平面: 111 晶向平面: 110 100晶向平面的晶格結構 111晶向平面的晶格結構 100晶圓上的蝕刻斑 111晶圓上的蝕刻斑 矽晶體缺陷的說明 差排缺陷 從砂到晶圓 石英砂的主要成份是二氧化矽 從砂到冶金級矽 (MGS) MGS 粉末放進反應爐和氯化氫反應生三氯矽烷(TCS) 經由汽化和凝結過程純化三氯矽烷 三氯矽烷和氫氣反應生成電子級矽材料 (EGS) EGS熔化和晶體提拉 從砂到晶圓(續) 端末切除, 側面拋光, 以及磨出平面或是缺口的部分 從晶棒到晶圓切片 邊緣圓滑化, 研磨, 濕式蝕刻製程和化學機械研磨製程(CMP) 雷射畫線(Laser scribe) 磊晶沉積 從砂到矽 矽的純化 I 多晶態沉積, 電子級矽材料 矽的純化 II 電子級矽材料 晶體提拉:查克洛斯基(CZ)法 查克洛斯基法晶體提拉 查克洛斯基法晶體提拉 懸浮帶區法(FZ Method) 兩種方法的比較 查克洛斯基法是較常用的方法 價格便宜 較大的晶圓尺寸 (直徑300 mm ) 晶體碎片和多晶態矽再利用 懸浮帶區法 純度較高(不用坩堝) 價格較高, 晶圓尺寸較小 (150 mm) 分離式功率元件 矽晶棒拋光,平邊或 刻痕 晶圓切片處理 不同晶圓尺寸的晶圓厚度 晶圓邊緣圓滑化處理 晶圓研磨 粗略研磨 傳統的研磨劑,泥漿研磨 移除表面大部分的損傷 產生平坦的表面 濕式蝕刻製程 移除晶圓表面的缺陷 將硝酸 (水中濃度79% ), 氫氟酸(水中濃度49% ), 和純醋酸 依照4:1:3 比例混合. 化學反應式: 3 Si + 4 HNO3 + 6 HF ? 3 H2SiF6 + 4 NO + 8 H2O 化學機械研磨製程 200 mm的晶圓厚度和表面平坦度的變化 磊晶成長 磊晶：定義 源自於希臘的兩個字 epi: 在某物之上 taxies: 安排好的，有秩序的 磊晶沉積製程是在單晶基片上生長一層薄的單晶層. 磊晶：目的 雙載子電晶體的載體層 當維持在高集崩潰電壓時，降低集極電阻. 僅磊晶層. 因為比晶圓晶體有較低的氧碳濃度，可增強動態隨機記憶體(DRAM)和互補型金氧半電晶體積體電路(CMOS IC)的性能 矽磊晶層在雙載子電晶體的應用 矽磊晶層在CMOS的應用 矽源材料氣體 氣相摻雜物 二氯矽烷磊晶成長, 摻雜砷化氫 矽磊晶層的成長與摻雜製程 磊晶矽薄膜成長速度與溫度關係 筒狀式反應器 垂直式反應器 水平式反應器 磊晶製程, 批次系統 氫氣沖洗, 溫度升高 氯化氫清潔反應器 磊晶薄膜成長 氫氣沖洗, 溫度冷卻 氮氣沖洗 打開反應室, 晶圓卸載和再裝載 單晶圓反應器 密封反應室, 氫氣圍繞 一主機可以有多個反應室 較大的晶圓尺寸(到 300 mm) 均勻的控制性較佳 單晶圓磊晶系統 磊晶製程,單晶圓磊晶系統 氫氣沖洗清潔, 溫度升高 磊晶薄膜成長 氫氣沖洗, 停止加熱 晶圓卸載和再裝載 用氯化氫清潔反應室 為何用氫沖洗 大部分氮氣做為沖洗的氣體 氮相當穩定且豐度高 超過攝氏1000 ?C, 氮可以和矽反應 氮化矽在晶圓表面會影響磊晶矽沉積製程 因此氫氣被用來吹除淨化磊晶反應室 藉由與晶圓表面的污染物形成氣態的氫化物來清潔晶圓表面 氫元素的性質 磊晶層可能的缺陷 磊晶的未來趨勢 大晶圓尺寸 單晶圓磊晶成長 降低磊晶成長的溫度 超高真空(UHV, 到 10-9 托) 選擇性磊晶 摘要 矽的豐度高,價格便宜,強介電值和容易氧化成長. 100 和 111晶向平面 查克洛斯基法和懸浮帶區法，查克洛斯基法較常用 切片, 切邊, 研磨, 蝕刻和化學機械研磨製程 摘要 磊晶:單晶體在單晶體之上 為雙載體和高效能的CMOS, DRAM. 矽烷,二氯矽烷,三氯矽烷做為 矽源材料氣體 B2H6 做為P-型矽 摻雜物 PH3 和 AsH3 做為 N-型矽摻雜物 批量和單晶圓磊晶系統 刻痕方向 晶體晶棒