半导体器件物理与工艺 绪论.ppt

在半导体产业向前迈进的重要一步是将多个电子元件集成在一个硅衬底上。被称为集成电路或简称IC，它是由仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯和德州仪器公司的杰克·基比尔于1959年分别独自发明的。在一块集成电路的硅表面上可以制造许多不同的半导体器件，例如晶体管、二极管、电阻和电容，他们被连成一个有确定芯片功能的电路。 Robert Noyce(Intel) Clair Kilby (TI) 从20世纪60年代到现在，这是组织半导体产业发展的有用方法（见表）。 半导体器件的制作仅发生在接近硅片表面的几微米。在工艺加工过程中，硅片厚度提供硅片足够的强度。一旦器件在硅片上制作完毕，硅片上的金属线路层将作为器件和芯片外边的各种电信号之间的连接（见图）。现代集成电路的互连概念和材料非常类似于1957年仙童半导体公司第一商品化的原始平面晶体管。单主要差别是今天的芯片更加复杂。 微芯片制造涉及5个大的制造阶段（见图）： 硅片制备 硅片制造 硅片测试/拣选 装配与封装 终测 硅片制备 在第一阶段，将硅从沙土中提炼并纯化。经过特殊工艺产生适当直径的硅锭（见图）。然后将硅锭切割成用于制造微芯片的薄硅片。按照专用的参数规范制备硅片，例如定位边要求和沾污水平。 硅片制造 自硅片开始的微芯片制作是第二阶段，被称为硅片制造。裸露的硅片到达硅片制造厂，然后经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂步骤。加工完的硅片具有永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。硅片制造的其他名称是微芯片制造和芯片制造。 硅片制造涉及许多复杂工艺步骤的交互，可使用自动化设备在一个甚大规模集成电路硅片上生产几亿个器件。伴随着制造高性能集成电路的复杂性，半导体产业总是处于设备设计和制造技术的前沿。这种创新激励了硅片制造的不断完善。 硅片的测试/拣选 硅片制造完成后，硅片被送到测试/拣选区，在那里进行单个芯片的探测和电学测试。然后拣选出可接受和不可接受的芯片，并为有缺陷的芯片做标记。不会把硅片测试失效的芯片送给客户，而通过硅片测试的芯片将继续进行以后的工艺。 装配与封装 硅片测试/拣选后，硅片进入装配和封装步骤，以便把单个芯片包装在一个保护管壳内。硅片的背面进行研磨以减小衬底的厚度。一片厚的塑料膜被贴在每个硅片的背面，然后，在正面沿着划片线用带金刚石的锯刃将每个硅片上的芯片分开。粘的塑料膜保护硅芯片不脱落。在装配厂，好的芯片被压焊或抽真空形成装配包。稍后，将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。最终的实际封装形式随芯片类型及其应用场合而定（见下图）。 终测 为确保芯片的功能，要对每一个被封装的集成电路进行测试，以满足制造商的电学和环境的特性参数要求。终测后，芯片被发送给客户以便装配到专用场合：例如，将存储器元件安装在个人电脑的电路板上。 甚大规模集成电路设计和制造集成电路所需的快速技术变化，导致新设备和新工艺的不断引入。每隔18到24个月，半导体产业就引入新的制造技术。伴随微芯片技术的发展有三个主要趋势： 提供芯片性能 提高芯片可靠性 降低芯片成本 从20世纪60年代早期小规模集成电路时代以来，半导体微芯片的性能已得到了巨大的提供。判断芯片性能的一种通用方法是速度。器件做得越小，在芯片上放置得越密，芯片得速度就会提高，这是因为通过电路得电信号传输距离更短了。提供速度得另一种方法是：使用材料，通过芯片表面得电路和器件来提高电信号得传输。 关键尺寸 芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸。描述特征尺寸的另一个术语是电路几何尺寸。特别值得注意的是硅片上的最小特性尺寸，也称为关键尺寸或CD。自半导体制造业开始以来，器件的CD一直在缩小，从20世纪50年代初期以大约125um的CD开始，目前是0.18um或者更小。半导体产业使用“技术节点”这一术语描述在硅片制造中使用的可应用CD。从1um以下的CD实际的和预计的产业技术节点如表2所示。 每块芯片上的元件数 减小一块芯片的特征尺寸使得可以在硅片上制作更多的元件。对于微处理器，芯片表面的晶体管数可以说明通过减小CD来增加芯片的集成度。由于芯片上的晶体管数连年急剧增加，芯片性能也已提高（见图）。 摩尔定律 1964年，戈登·摩尔，半导体产业先驱和英特尔公司的创始人，语言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。关于微处理器上的晶体管数，如图所示，摩尔定律惊人地准确。 功耗 芯片性能的另一重要是在器件工作过程中的功耗。真空管耗费很大功耗，而半导体器件确实耗用很小的功耗。随着器件的微型化，功耗相应减小。尽管每块芯片上晶体管数迅速增加，芯片的功耗却低得多得速率增加（见图）。这