半导体物理_第3讲.ppt

杂质补偿 深能级杂质 非III，V族杂质在硅，锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。通常称这种能级为深能级，相应的杂质为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每一次电离相应地有一个能级，能够引入若干个能级，既可引入施主能级，也能引入受主能级。 深能级产生的理论未完善。常用深能级瞬态谱仪测量。 深能级杂质含量少，能级较深，对载流子浓度及导电类型影响较小，对于复合作用较强，故称为复合中心。 硅晶体中的深能级 2.2　III-V族化合物中的杂质能级 IIIA中的硼，铝，镓，铟铊+VA中的氮，磷，砷，锑，铋=二元化合物； AlP,AlSb,AlAs,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb为闪锌矿结构； 杂质进入后，可能形成替位杂质或间隙杂质。 GaAs中的杂质 III-V族化合物中的杂质能级 以GaAs为例， 掺入I族元素，引入受主能级，起受主作用 掺入II族元素，引入受主能级，为受主杂质，引入浅受主能级。 掺III和V族非本身元素时，为电中性的杂质。相当于III族原子取代镓，V族原子取代砷。 IV族元素若取代III族原子，则起施主作用；若取代V族原子，则起受主作用。所起作用与掺杂浓度及掺杂时的外界条件有关。 VI族元素，常取代V族原子，表现施主作用，引入施主能级。 III-V族化合物中的杂质能级 在某些化合物半导体中，如GaP,掺入V族元素氮或铋，将取代磷并在禁带中产生能级。这个能级称为等电子陷阱。效应称为等电子杂质效应。 等电子杂质：与基质晶体原子具有相同数量价电子的杂质原子； 等电子陷阱：因为等电子杂质的原子共价半径和电负性与基质晶体的原子有差别，可俘获得某种载流子而成为带电中心。称这个中心为等电子陷阱。 。 III-V族化合物中的杂质能级 特性 俘获电子或空穴取决于杂质的负电性 是否形成等电子陷阱取决于杂质电负性及共价键半径 带电中心+相反极性的载流子=束缚激子 硅在砷化镓中既可取代砷，又可取代镓的表现称为杂质的双性行为。 2.3　缺陷，位错能级 点缺陷： 由于为温度所影响，又称热缺陷。主要分为两种： 弗仑克尔缺陷：间隙原子和空位成对出现。 肖特基缺陷：若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称肖特基缺陷。 间隙原子和空位一方面不断产生，一方面不断复合，最后确立一种平衡浓度值 硅中的间隙原子有四个可以失去的未形成共价键的电子，表现施主作用；而空位形成不饱和的的共价键，有受主作用。 GaAs的空位为受主作用，而间隙原子还未有定论。 硅及GaAs中的点缺陷 缺陷，位错能级 线缺陷 也称位错。 情况很复杂。根据形成的机构，有施主作用和受主作用。 金刚石结构中的位错 理想的半导体 具有严格的周期性 无热振动，固定在晶格上 纯净，不含杂质 思考 实际半导体和理想半导体的区别 杂质补偿 受主杂质，受主能级 施主杂质，施主能级 杂质的双性行为是什么 等电子效应是什么？ 杂质在半导体的作用是什么 点缺陷的种类 严谨严格求实求是 严谨严格求实求是 严谨严格求实求是 严谨严格求实求是 严谨严格求实求是 半导体物理 光源与照明 第二章　半导体中的杂质和缺陷能级 硅、锗晶体中的杂质能级 III－V族化合物中的杂质能级 缺陷、位错能级 2.1　硅，锗晶体中的杂质能级 替位式杂质，间隙式杂质 施主杂质，施主能级 受主杂质，受主能级 浅能级杂质电离能计算 杂质的补偿作用 深能级杂质 替位式杂质，间隙式杂质 杂质种类 替位杂质：要求杂质原子与被替位原子在体积及电子壳层结构相近，杂质原子取代晶格原子位于晶格格点处。 间隙杂质：要求杂质原子本身体积小，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置。 位置分类 原子之间的空隙，称为间隙位置 原子本身存在的位置，称为替位位置 间隙位置举例 间隙位置举例 替位式杂质，间隙式杂质 特性 间隙式杂质原子一般较小，如Li离子。 替位式杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小较相近，且价电子壳层结构相近。所以III，V族元素可在IV族中以替位形式存在。 2.1　硅，锗晶体中的杂质能级 施主杂质，施主能级 受主杂质，受主能级 浅能级杂质电离能计算 杂质补偿 深能级杂质 2.2　施主杂质，施主能级 杂质电离： 电子脱离杂质原子的束缚而成为导电电子的过程称为杂质电离；使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需的能量称为杂质电离能△ED。 施主电离： V族杂质在硅，锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们 为施主杂质或n型杂质。释放电子的过程称施主电离。施主杂质未电离时是中性的，称束缚态或中性态，电离后成为正电中心，称为离化态。 施主杂质 施主杂质，施主能级 施主能级： 将施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为ED。施主能级离导带很近。 施主杂