微电子器件(4-9).ppt

* 4.9 MOSFET 的结构及发展方向 MOSFET 的发展方向主要是沟道长度的不断缩短，目前已经缩短到小于 0.1 ?m 。这种发展趋势可以用 摩尔定律 来描述： MOS 集成电路的集成度每 18 个月翻一番，最小线宽每 6 年下降一半。目前预测的最小极限尺寸是 25 nm，尽管这种对极限尺寸的预测也在不断下调。 MOSFET 的发展过程，就是在不断缩短沟道长度的同时，尽量设法消除或削弱短沟道效应的过程。 4.9.1 按比例缩小的 MOSFET 1、恒场按比例缩小法则 为了消除或削弱短沟道效应，除了采用一些特殊的结构外，在 VLSI 中，主要采用按比例缩小法则。 设 K 为缩小因子，K 1 。恒场按比例缩小法则要求 这时器件及集成电路的性能发生如下改变： 2、恒场按比例缩小法则的局限性 (1) 亚阈区摆幅 S 不变会使亚阈电流相对增大，对动态存储器特别不利。 (2) 某些电压参数不能按比例缩小，例如 Vbi 和 2?FB 等。 (3) 表面反型层厚度 b 不能按比例缩小。可以将反型层看作一个极板间距为 b 且与 COX 相串联的电容 ，使总的有效栅电容偏离反比于 TOX 的关系而逐渐饱和。 (5) 电源电压不能完全按比例缩小。 (4) 寄生电阻的限制。 3、其它按比例缩小法则 (1) 修正的恒场按比例缩小法则 (2) (3) 恒亚阈电流缩小法则 (4) 恒压按比例缩小法则 4.9.2 双扩散 MOSFET (1) 沟道长度由两次反型扩散的结深之差决定。可以使沟道长度制作得又短又精确。 特点： (2) 在沟道和漏区之间插入一个 N? 漂移区，可以减小寄生电容 C?gd ，提高漏源击穿电压，减小沟道长度调制效应，防止漏源穿通，抑制衬底电流和热电子效应等。 4.9.3 SOS - MOSFET 特点：由于兰宝石的优良绝缘性而大大减小了源、漏区与衬底之间的寄生电容，故具有较高的速度。此外，在 SOS 结构中可以腐蚀掉不需要的部分，只剩下 MOSFET 的有源部分，可在集成电路中实现各 MOSFET 之间的完全电隔离。 在兰宝石 (α-Al2O3 ) 衬底上外延生长单晶硅薄膜，在此薄膜上制作的 MOSFET，称为 SOS-MOSFET。 4.9.4 深亚微米 MOSFET 1、量子效应的影响 对于深亚微米 MOSFET，根据按比例缩小法则，必须采用重掺杂衬底和薄栅技术 。这样能带在表面的弯曲将形成足够窄的势阱，使反型层中的载流子在界面处 量子化。计算表明，量子效应使反型层电子浓度的峰值离开界面。可以将该现象等效为栅氧化层厚度的增加，从而导致漏极电流的衰退。 2、栅耦合 按比例缩小法则要求 MOSFET 的栅氧化层厚度随沟道长度的缩短而减薄 ，以保持 栅电极 与 沟道电荷 之间有足够的耦合 。每一代新的 MOSFET 都采用了更薄的栅氧化层。但是栅氧化层厚度的减薄将受到下面几个因素的限制。 首先，当栅氧化层非常薄时，栅极与沟道之间的 电子隧道效应电流 将显著增大，导致栅电流的增大和输入阻抗的下降。 其次，以下三个因素使 有效 栅氧化层厚度不能随 实际 栅氧化层厚度的减薄而下降。 *