场效应管和应用.ppt

第三章 场效应管及其基本放大电路 §3.1 MOS场效应管 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 当UGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压UDS对 漏极电流ID的影响。UDS的不同变化对沟道的影响。 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 §3.2 结型场效应管 §3.3 场效应管的主要参数和微变等效电路 §3.4 场效应管放大电路 微变等效电路 ? 高频微变等效电路 Cgd S D gmUgs gds Ugs + - + - Uds G ID Cgs Cds 场效应管偏置电路 三种基本放大电路 * §3.1 MOS场效应管 §3.2 结型场效应管 §3.3 场效应管的主要参数和微变等效电路 §3.4 场效应管基本放大电路 小结 概 述 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单级型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管的输入电阻高，可达109~1014? 场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管JFET 增强型MOS场效应管 耗尽型MOS场效应管 MOS场效应管分类 MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 ? N沟道增强型MOS场效应管结构 增强型MOS场效应管 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 动画3-1 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在UDS的作用下形成ID。 ? N沟道增强型MOS场效应管工作原理 增强型MOS管 UDS ID + + - - + + - - + + + + - - - - UGS 反型层 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压不会在D、S间形成电流ID,即ID≈0. 当UGSUT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下，ID将进一步增加 开始无导电沟道， 当在UGS?UT时才形 成沟道,这种类型的管 子称为增强型MOS管 动 画 3-2 ? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 UDS一定时，UGS对漏极电流ID的控制关系曲线 ID=f(UGS)?UDS=C 转移特性曲线 UDSUGS-UT UGS(V) ID(mA) UT 在恒流区，ID与UGS的关系为 ID≈K(UGS-UT)2 沟道较短时，应考虑UDS对 沟道长度的调节作用： ID≈K(UGS-UT)2（1+?UDS) K—导电因子（mA/V2) ?—沟道调制长度系数 ?n—沟道内电子的表面迁移率 COX—单位面积栅氧化层电容 W—沟道宽度 L—沟道长度 Sn—沟道长宽比 K—本征导电因子 ? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 UGS一定时， ID与UDS的变化曲线，是一族曲线 ID=f(UDS)?UGS=C 输出特性曲线 1.可变电阻区： ID与UDS的关系近线性 ID≈ 2K(UGS-UT)UDS UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) 当UGS变化时，RON将随之变化 因此称之为可变电阻区 当UGS一定时，RON近似为一常数 因此又称之为恒阻区 ? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 输出特性曲线 2. 恒流区： 该区内，UGS一定，ID基本不随UDS变化而变 3.击穿区： UDS 增加到某一值时，ID开始剧增而出现击穿。 当UDS 增加到某一临界值时，ID开始剧增时UDS称为漏源击穿电压。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) UDS=UDG＋UGS =－UGD＋UGS UGD=UGS－UDS 当UDS为0或较小时，相当 UGD＞UT， 此时UDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在UDS作用下形成ID 增强型MOS管 当UDS增加到使UGD=UT时， 当UDS增加到UGD?UT时，