现代集成电路制造工艺原理-第十章.pptVIP

现代集成电路制造工艺原理 山东大学 信息科学与工程学院 王晓鲲 第十章 氧化 氧化膜 热氧化生长 高温炉设备 卧式与立式炉 氧化工艺 氧化物的产生 热氧化 淀积 氧化膜 通常硅上热生长氧化层的温度在750°C-1100°C之间。硅上生长的氧化层称为热氧化硅（thermal oxide）或热二氧化硅（SiO2）。 SiO2的原子结构是由一个硅原子被四个氧原子包围着的四面体单元组成。 非晶体 氧化膜的用途 器件的保护和隔离 表面钝化 栅氧电介质 掺杂阻挡 金属层间的介质层 器件保护和隔离 坚硬的SiO2层保护硅片免受划伤和损害 隔离有源器件 表面钝化 热生长SiO2可以束缚硅的悬挂键， 从而降低它的表面态密度，这种效果称为表面钝化。 在Si表面生长的SiO2层可以将Si表面的电活性沾污物（可移动离子沾污）束缚在其中。 表面钝化 用氧化层做Si表面钝化层的一个要素是氧化层的厚度。 场氧化层的典型厚度是2500-15000? 栅氧介质层 掺杂阻挡 二氧化硅可以作为硅表面选择性掺杂的有效掩蔽层。 与Si相比，掺杂物在SiO2里的移动缓慢，所以只需要薄氧化层即可阻挡参杂物。 薄氧化层（如150?）也可以用于需要离子注入的区域 金属层间的介质层 二氧化硅是微芯片金属层间有效的绝缘体。 氧化物质量要求无针孔和空隙 通常用化学气相淀积获得 热氧化的化学反应 干氧氧化 Si（固）+ O 2（气） SiO2 (固) 氧化层厚度和温度和时间有关 可以根据二氧化硅的颜色，估计二氧化硅的厚度 热氧化的化学反应 湿氧氧化 Si（固）+ 2H2O（水汽） SiO2（固） + 2H2（气） 湿氧氧化速度更快（水蒸气比氧在二氧化硅里扩散的更快，溶解度更高） 在惰性气体里加热氧化以得到与干氧化生长相类似的氧化膜结构和性能。 硅消耗厚度 假设经热氧化方式生长厚度为t的二氧化硅，将要消耗多少硅？每摩Si的质量是28.9g, 密度为2.33g/cm3;每摩SiO2的质量是60.08g，密度为2.21g/cm3。 SiO2-Si界面 距Si/SiO2界面2nm以内的硅的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区。 界面处积累的其他电荷包括界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。 通过在氢气或氢-氮混合气中低温退火可以减少界面处电荷。 氯化物在氧化中的应用 在氧化工艺中用含氯气体可以中和界面处的电荷堆积。 能固定可移动离子沾污。 能使氧化速度提升10%到15%。 氧化物生长速率 线性阶段（氧化层厚度小于大约150?） X=(B/A)t X=氧化物生长厚度 ，(B/A)=线性速率系数 ， t=生长时间 抛物线阶段 X=(Bt)1/2 X=氧化物生长厚度 ，B=抛物线速率系数 ， t=生长时间 影响氧化物生长的因素 掺杂效应 重掺杂的硅比轻掺杂的氧化速度快 在抛物线阶段，硼掺杂比磷掺杂氧化得快；在线性阶段，硼掺杂和磷掺杂的线性速率系数相差不大。 晶向 在线性阶段，（111）硅单晶的氧化速率比（100）稍快。 在抛物线阶段，（111）和（100）向的氧化生长速率没有差别。 晶向 不同晶向的硅片的化学、电学和机械性质都不一样，这会影响工艺条件和最终的器件性能。 影响氧化物生长的因素（续） 压力效应 生长速率随着压力增大而增大 每增加一个大气压的压力，相当于炉体温度降低30°C 等离子增强 导致硅快速氧化，允许氧化物生长在低于600°C的条件下进行。 比热氧化的膜质量差，没有在硅基制造业中广泛应用 选择性氧化 传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化（LOCOS） 高温炉设备 卧式炉 立式炉 快速热处理（RTP）：单片 卧式炉 立式炉 优点：占地面积小，更容易自动化，硅片的温度更均匀，减少颗粒沾污等等。 快速热处理（RTP） 在常压或低压下，单个硅片在腔体内被快速加热。 采用多盏卤钨灯组装载一起作为热源。 应用 注入退火 淀积膜 硼磷硅玻璃回流 。。 氧化工艺 氧化前清洗 炉体及其相关设备的清洗维护（特别是对石英器皿） 工艺中化学物品的纯度 氧化气氛的纯度 硅片清洗和操作实践 氧化工艺菜单 * * 来源：/gt/gt/gt7.aspx *