硅的湿法刻蚀工艺研究现状.docVIP

大连理工大学研究生试卷 类别 标准分数 实得分数 平时成绩 10 作业成绩 90 总分 100 授课教师 刘冲 签 字 系 别： 机械工程学院 课程名称：微制造与微机械电子系统 学 号： 姓 名： 范振喜 考试时间： 2013年 1 月 15 日 硅的湿法刻蚀工艺研究现状 范振喜 （大连理工大学机械工程学院 大连） 摘要：硅的湿法刻蚀技术是微机械加工中最基础、最关键的技术。本文系统的总结了近年来硅的湿法刻蚀工艺的研究内容，包括硅的深槽刻蚀工艺、硅刻蚀均匀性技术、超声波技术及Cr掩膜在硅刻蚀中的应用以及用动力学蒙特卡罗法仿真刻蚀过程。 关键词：硅；湿法刻蚀；深槽刻蚀；刻蚀均匀性；超声技术；Cr掩膜；蒙特卡罗 Current Study on Silicon Wet Etching Technology FAN Zhenxi (Department of Mechanical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, China) Abstract: Silicon wet etching is the most fundamental and key technology in micro—mechanical processing. This paper summarizes the research contents of silicon wet etching technology during the recent years , including silicon etching process of deep groove, silicon etching uniformity technology, the application of ultrasonic technology and Cr mask in silicon etching and the simulation of etching processing with dynamic Monte Carlo method. Key words: Silicon; wet etching; deep etching; etch uniformity; ultrasonic; Cr mask; Monte Carlo 前言 随着电子元器件的小型化发展，微机电系统(MEMS)已成为制作微机械、传感器、控制电路等微器件及其集成于芯片的关键技术。由于芯片的集成和制造多以硅为基体，作为硅基体加工中最基础、最关键技术的硅的湿法刻蚀工艺被广泛应用于实际生产中。 本文主要对近年来的硅的湿法刻蚀工艺研究现状进行了汇总，主要从深槽刻蚀工艺、刻蚀均匀性技术、超声波技术及Cr掩膜在刻蚀中的应用及用动力学蒙特卡罗法仿真刻蚀工艺方面进行介绍。 1 深槽湿法刻蚀工艺[1,2,3] MEMS器件的机械元件部分需要很大的刻蚀深度(5～500um),而通常加工出的深槽深度为 100～200um ,随着深度的进一步增加,硅的表面将出现不平整的小丘,掩蔽层也逐渐脱落,对器件的性能影响极为严重。但通过对腐蚀液的浓度、温度、添加剂种类及其浓度做相应的设定便可解决以上难题。 1.1 刻蚀速率 图1所示为刻蚀速率与KOH溶液浓度的关系,刻蚀速率在30%(wt)处出现峰值。 由图2可知,刻蚀速率随温度升高急剧增大。 图1 刻蚀速度与腐蚀液浓度的关系 图2 刻蚀速率与溶液温度的关系 刻蚀速率与表面活化剂SDSS(sodium dihexyl sulfosuccinate)和IPA(异丙醇)添加浓度关系如图3所示。实验结果还表明,异丙醇的添加对刻蚀速率的提升效果较SDSS更为显著。 图3 刻蚀速率与添加剂浓度的关系 1.2 表面粗糙度 在刻蚀过程中,常常会由于生成的氢气气泡吸附在硅片表面,形成“伪掩膜”而产生锥状小丘,致使表面粗糙.为改善表面粗糙度,实验中采取了搅拌、添加不同浓度的SDSS与IPA等措施,刻蚀后硅表面的SEM形貌如图4所示。实验结果显示,平整度最优的添加剂浓度与刻蚀速率峰值时的添加剂浓度有很好的对应。 (a)不搅拌 (b)搅拌 (c)搅拌+ 0.1%(wt)SDSS (d)搅拌+7.5%(wt) 图4 刻蚀表面形貌 1.3深度刻蚀 利用优化的刻蚀条件:30%(wt)KOH,100℃,7.5%(wt)IPA,搅拌,进行深度刻蚀,可得到图形度完好的刻蚀窗口,其光学显微图如图5所示。刻蚀窗口深度达236um, 较常用刻蚀条件,刻蚀速率可提高约2倍,