第四章--双极型晶体管的功率特性.pptVIP

本章内容 基区大注入效应对电流放大系数的影响 基区扩展效应 发射极电流集边效应 发射极单位周长电流容量 晶体管最大耗散功率 二次击穿和安全工作区 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 而通过第二章内容可以知道，小注入情况下，当 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 4.4 发射极单位周长电流容量 4.4.1 集电极最大允许工作电流 4.4.2 线电流密度 4.5 晶体管最大耗散功率 4.5.1 耗散功率和最高结温 4.5.2 热阻 4.5.3 晶体管的最大耗散功率 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 双极型晶体管的功率特性 半导体器件物理 南京邮电大学电子科学与工程学院 双极型晶体管的功率特性* 第四章 双极型晶体管的功率特性 半导体器件物理 Physics of Semiconductor Devices 基区大注入效应 双极型晶体管的功率特性 当注入基区的少数载流子浓度接近或超过基区的多数载流子浓度时，即为大注入 。 4.1 基区大注入效应对电流放大系数的影响 在大注入自建电场的作用下，载流子在基区内除存在扩散运动外还存在漂移运动，因而基区电子和空穴电流等于漂移电流与扩散电流之和，即 4.1.1 大注入下基区少数载流子分布 4.1.1.1 大注入自建电场 当空穴的扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡。因而稳定时，基区内的净空穴电流 由此可得，基区大注入自建电场 当注入较大时，基区中的多数载流空穴浓度 将此代入上式 表示由基区杂质分布梯度产生的自建电场， 4.1.1.2大注入下基区少子分布及电流特性 由于在大注入情况下，基区内存在大注入自建电场，因而不论是均匀基区还是缓变基区晶体管，基区电子电流都应包括漂移和扩散两个分量。可得基区电子电流 均匀基区晶体管，基区杂质为均匀分布， 因此，基区电子电流 若忽略基区复合，则 ，且 ,可认为基区电子线性分布。 即 , 为基区边界x = 0处电子浓度。 ，所以，上式变为 与小注入相比，相当于扩散系数增大一倍。 又由于大注入下， 对于缓变基区晶体管，当忽略基区复合时， 如果基区杂质按指数分布 ，将此关系代入上式可得 等式两端同乘 并经整理后可得 在大注入情况下， ，上式又可简化为 或为 对上式由 积分，并利用 处 的边界条件，可解得 稍加变换 当发射区注入到基区的电子电流密度很大时，有 上式中右端第二项可以忽略，则有 此式表明基区电子浓度分布为线性分布，也就是说，在发射极电流密度很大情况下，基区电子浓度分布与杂质分布情况无关。 比较以上两式可见，在相同的电流密度下，大注入基区电子浓度梯度是小注入的一半，这说明大注入条件下，扩散电流和漂移电流近似相等，各占总电流的一半。这漂移电流是由于大注入自建电场所产生的。 4.1.2 基区电导调制效应 4.1.3 基区大注入对电流放大系数的影响 小注入均匀基区晶体管电流增益表达式为 右边第一项为小注入时的发射效率项，在大注入下由于基区电导调制效应， 使基区电阻率发射变化，致使发射效率项变为 大注入下 可得大注入下体内复合项 大注入下基区表面复合电流 得大注入下基区表面复合项 则得大注入下电流增益表达式 这里用基区边界的注入电子浓度近似代表整个基区内的注入电子浓度。 若注入水平大到 时，上式中第2、3项[ ]内的数值趋向1/2；其物理意义表明大注入下体内复合及表面复合较小注入减少一半。其原因是由于大注入自建电场的存在，使得电子穿越基区的时间缩短一半，复合几率下降，β0上升。上式中第一项为发射功率项，是发射效率γ0的倒数。从公式中可以看出，随着注入水平的增大，γ0将下降，从而导致β0下降。