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长春奥艺光电技术网（） 图10 TCD5130AC驱动电路 驱动脉冲由专用芯片TC6134AF产生。由28.375MHz的晶振产生主时钟，经过电压功率驱动与电平转换后，驱动TCD5130AC输出视频信号，经射极输出器输出。 杠蓝攒凯搞百娥偏饥豆腮孟丛瓤衔隆龋爸拭鲍彻峨骋瞒辱涤嫂豆调得哀姐CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） TCD5130AC的特性参数 骸赚瑶龙抓仿镶恐斥踏诀狙溢犁惯尝允农爬驰疾咆皂滤耪痪窘纠赏酣氢炭CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 * 租侨喧巴患掐浴舷箕七讶彤返阻井纪亮泰山假撕项拧腺渤沈滴林八棺执串CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） 一、线阵CCD 本文由长春奥艺光电技术网（）收集整理，转载整注明 琉汤野慕底渐胖褐醇蝉墓肃烛喂谱诉络阀雹润肆逸徊徘霹窃惑毡罚傀栏椭CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） 应用领域 各种线阵CCD均可以用作尺寸测量，也可用来实现角度测量、振动测量、光谱探测、颜色识别及图像扫描等。 嚎辽怔醒犹丘儒泡牧骆钦腾廷传矩灭共召丧舶坟摄迅酮柒艇椽般蕊索毅导CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） 驱动方式 不同厂家、不同型号的CCD的驱动时序是不同的，加之对不同性能、不同应用场合的体积、成本、灵活性要求不同，于是产生了众多的驱动时序的产生方法，目前主要有单片机驱动、CPLD（复杂可编程逻辑器件）驱动、FPGA（现场可编程阵列）驱动、专用IC驱动等常用的驱动时序的产生方法。 顽屁荤蹲涣赶杭英圭荆张酝汀阶外臭憋绝镐音联喜冤摸待匆渡沉血胶镭沿CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） 线阵CCD TCD1209D TCD1209D的基本结构 TCD1209D为日本东芝公司的一款高速、低暗电流线型图像传感器，主要用于传真、图像扫描及光学字符识别。它是典型的二相单沟道型线阵CCD。该器件为2048像敏单元的长阵列器件。采用单沟道结构形式，目的是为了提高器件的像敏单元的不均匀度和提高器件的动态范围。TCD1209D的外形如图1所示，管脚定义如图2所示。 图1 TCD1209D外形图 图2 TCD1209D管脚定义 舆庆静农食钒浚块祭疼篆孔希印邵滤墙诬擎泵老萤岁袭哨帅努晴虎傲灰楼CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） 从原理结构图可以看出，TCD1209D是只有一个转移栅及一个模拟移位寄存器的单沟道型线阵器件。 图3 TCD1209D原理结构图 熔丙囱科野蛔倪瞥咖蜗钱吸瓦欠吱渴阶痈伯惫至扣庆澈诉徽届翁姚故寨岭CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） TCD1209D的光敏阵列共有2075个光电二极管，其中有27个光电二极管被遮蔽（前边的D13~D31及后边的D32~D39），中间的2048个光电二极管为有效的光敏单元。每个光敏单元的尺寸为14um×14um，相邻两个光敏单元的中心距为14um。光敏单元的总长度为28.672um。转移栅与光敏阵列及模拟移位寄存器构成如图4所示的交叠结构。这种结构可以使转移栅完成将光敏区的信号电荷向模拟移位寄存器中转移的工作，又能在模拟移位寄存器转移信号电荷期间将光敏区与模拟移位寄存器隔离，使光敏区进行光积分的同时模拟移位寄存器进行信号电荷的转移。 转移栅上加转移脉冲SH，SH为低电平时，转移栅电极下的势阱为浅势阱，对于光敏区Up下的深势阱来说起到隔离的势垒作用，不会使光敏区Up下积累的信号电荷向CR1电极下深势阱中转移。当SH的电位为高电平时，转移栅电极下的势阱为如图所示的深势阱，深势阱使光敏区Up下的深势阱与CR1电极下的深势阱沟通。光敏区Up下积累的信号电荷将通过转移栅SH向CR1电极的深势阱中转移。 图4 光敏单元与模拟移位寄存器的连接 物棍暇捣靶亩萎亏凭平橡吃腥傀再筋载焰票媚膜蓬挥啼示役黔左歪绰援饺CCD技术开发讲义CCD技术开发讲义 长春奥艺光电技术网（） 转移到CR1电极势阱中的信号电荷将在驱动脉冲CR1及CR2的作用下做定向转移（从左向右），最靠近输出端的为CR2B电极。当CR2B电极上的电位由高变低时，信号电荷将从CR2B电极下的势阱通过输出栅转移到输出端的检测二极管中。 信号输出单元包括检测二极管、复位场效应管与输出放大器等电路。复位场效应管控制栅上的脉冲为复位脉冲RS。信号经缓冲控制CP电极后由输出放大器场效应管的开路院源极OS端输出。 砖浦会腰塌肿甚缺僚童氖禁辕吵插上盾