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第一章 半导体器件基础 谢谢大家！ 5. 若信号频率高，必须选高频管或超高频管。 6. 由于硅管反向电流小，允许工作温度高， 故对这些参数要求高时应选硅管；而当 要求导通电压低时课选取锗管。 7. 三极管的β值一般选几十到一百左右， β太大则管子的性能不稳定。 7、三极管的检测方法 用指针式万用表判断晶体三极管好坏及 判别三极管的e、 b、c电极　　 三极管的管脚必须正确辨认，否则，接入 电路不但不能正常工作，还可能烧坏晶体管。 （1）己知三极管类型及电极，用指针式 万用表判别晶体管好坏的方法如下: ①测 NPN 三极管: 将万用表欧姆挡置 “R × 100” 或 “R × lk” 处,把黑表笔接在基极上，将红 表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得 的电阻值都较小，再将红表笔接在基极上， 将黑表笔先后接在其余两个极上，如果两 次测得的电阻值都很大，则说明三极管是 好的。 ②测 PNP 三极管: 将万用表欧姆挡置 “R × 100” 或 “R × lk” 处,把红表笔接在基极上，将黑 表笔先后接在其余两个极上，如果两次测 得的电阻值都较小，再将黑表笔接在基极 上，将红表笔先后接在其余两个极上，如 果两次测得的电阻值都很大，则说明三极 管是好的。 （2）当三极管上标记不清楚时,可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型 (NPN 型还是 PNP 型 ),并辨别出e、b、c三个电极。测试方法如下 : 　①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型: 将万用表欧姆挡置 R × 100 或R×lk 处, 先假设三极管的某极为“基极”,并把黑表笔接 在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两 个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约 为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的, 且被测三极管为 NPN 型管； 同上,如果两次测得的电阻值都很大 ( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极 是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。 如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为“基极，再重复上述测试。　 以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电 极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用 手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻 , 如下图（a）所示。 ②判断集电极c和发射极e: 将指针式万用表欧姆挡置 “R × 100”或 R × 1k 处, 图 ：用指针万用表判别三极管 c 、 e 电极 读出表头所示的阻值 , 然后将两表笔反接重 测。若第一次测得的阻值比第二次小 , 说明 原假设成立 , 因为 c 、 e 问电阻值小说明通 过万用表的电流大 , 偏置正常。其等效电路 如上图（b）所示 , 图中VCC 是表内电阻 挡提供的电池 ,R为表 内阻 ,Rm 为人体电阻。 1.本征半导体 半导体有热敏、光敏及掺杂特性。 常温下：Ni=Pi 半导体中的电流＝电子电流＋空穴电流 本章小结 2.杂质半导体 N型半导体： 多数载流子为电子，少数载流子为空穴； P型半导体： 多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 一、半导体 3.PN结的单向导电性 （1）正向偏置： 小电阻、大电流，PN结导通； （2）反向偏置： 大电阻、小电流，PN结截止。 二、半导体二极管: 具有单向导电性 1. 二极管的伏安特性 正向特性： （1）死区电压： （2）正向压降： 硅管0.5V，锗管0.1V； 硅管0.7V，锗管0.2V 。 反向特性： （1）反向截止区： （2）反向击穿区： 2.二极管的参数： 反向饱和电流Is ， 与温度有关； 电击穿、热击穿。 IF、URM 、IS 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 [例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 　　电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC