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分析文献综述英文文献综述如何写(英文).doc

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  分析文献综述英文文献综述如何写(英文) 分析文献综述英文文献综述如何写(英文) 导读:anotube,T)(图1(c))或者堆垛成三维(3D)的石墨(Graphite)(图1(d)).因此,石墨烯被认为是构成其它碳材料的基本单元.1.1力学特性石墨烯是目前已知最薄的材料,厚度仅有0.335nm.其CC键仅为0.142nm,石墨烯中的每个碳原子与其它3个碳原子通过强σ键相连,CC键(sp2)使其成为已知最为牢固的材料之一.它比钻 石墨烯外延生长及其器件应用研究进展 高材 1103 刘铭 2011012074摘 要: 石墨烯具有优异的物理和电学性能 , 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和 热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希 望实现石墨烯大面积、 高质量的外延生长技术, 系统论述了不同 SiC 和金属衬底外延生长 石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、 发光二极管、超级电容器及锂 离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米 量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、 双层到少数层的调控, 有望成为高质量、 与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础. 关键词: 石墨烯、外延生长、器件、进展; 2004 年, 英国 Manchester 大学的安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫[1]通过胶带剥 离(亦称微机械力分裂法: Microfolitation)高定向石墨, 首次制备出独立存在的、只有一个原 子层厚度的二维晶体结构—石墨烯. 它推翻了 “完美二维晶体结构无法在非绝对零度下稳定 存在”的定论, 开启了一扇基于二维体系的理论和实验研究大门. 石墨烯因其晶体和电子结 构而具有独特的物理现象, 被认为是未来新一代的半导体材料, 在高性能纳电子器件、复合 材料、场发射材料、气体传感器及能量存储等领域具有广阔的应用前景. 1 石墨烯基本特性 Partoens 等[2]研究发现, 当石墨的堆垛原子层数少于 10 个单原子层时, 石墨层就会具 有与普通三维石墨不同的电子结构. 一般将 10 层以下的石墨结构统称为石墨烯. 单层石墨 烯的晶体结构如图 1(a)所示[3], 是由碳六元环组成的两维 (2D)周期蜂窝状点阵结构 , 厚度 只 有 0.335nm, 相 当 于 头 发 丝 直 径 的 1/200000. 它 可 以 翘 曲 成 零 维 (0D) 的 富 勒 烯 (Fullerene)(图 1(b)), 卷曲成一维(1D)的碳纳米管(Carbon Nanotube, T)(图 1(c))或者堆垛 成三维(3D)的石墨(Graphite)(图 1(d)). 因此, 石墨烯被认为是构成其它碳材料的基本单元. 1.1 力学特性 石墨烯是目前已知最薄的材料, 厚度仅有 0.335nm. 其 CC 键仅为 0.142nm, 石墨烯 中的每个碳原子与其它 3 个碳原子通过强 σ 键相连[4], CC 键(sp2)使其成为已知最为牢固 的材料之一. 它比钻石还坚硬 , 强度比钢铁高 100 倍. 石墨烯内部的碳原子之间的连接很 柔韧, 当施加外力于石墨烯时, 碳原子面会弯曲变形, 使得碳原子不必重排以适应外力, 从 而保持结构的高稳定性. 迄今为止 3 4 5 6 7 8 分析文献综述英文文献综述如何写(英文) 导读:))等.最近研究发现,zigzag边缘的石墨烯还具有光致发, 尚未发现石墨烯中有碳原子缺失的情况, 即六边形晶格 中的碳原子均未丢失或发生移位. 稳定的晶格结构还赋予了石墨烯优异的导热性. 石墨烯因 其优异的力学特性(石墨烯的力弹性系数为 105N/m, 杨氏模量达 0.5TPa[4]), 有望解决微型 处理器制造过程中所遇到的压力问题, 再加上其出色的电子特性, 有望成为未来制造微型处 理器的首选材料[5]. 1.2 电学性质 碳原子有 4 个价电子, 其中 3 个电子生成 sp2 键, 即每个碳原子贡献一个未成键的电 子位于 pz 轨道, 近邻原子的 pz 轨道与平面成垂直方向形成π 键, 为半填满状态, 电子可在 二维晶体内自由移动, 因此石墨烯具有良好的导电性[6]. 其电子以光速的 1/300 移动, 具有 相对论粒子特性 [7], 并可不通过散射而进行亚微细距离移动, 使得隧道单分子晶体管的设 想成为现实. 另外, 其电子在轨道中移动时 , 不会因晶格缺陷或引入外来原子而发生散射 . 鉴于原子间作用力十分强, 在常温下, 即使周围碳原子发生挤撞, 石墨烯内部电子输运受到 的干扰也非常小. 它的电子迁移率在室温下可以超过 15000cm2/(V

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