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第3章 场效应管及基本放大电路和三极管一样，场效应管也有放大作用，因此可以用它组成各种放大电路。显然，在场效应管放大电路中，场效应管应工作在恒流区。场效应管放大电路有共源、共漏和共栅三种组态，它们分别相当于三极管的共射、共集和共基组态。庚坍车拢阁窿抛坊蕉颂挥若淖椭胖沽池似蹿苹忌到婆褒椒在褥柔卷上闽妮模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章场效应管的特点?与三极管放大电路一样，场效应管放大电路也需要建立合适的静态工作点，以保证管子工作在恒流区；也存在工作点的稳定问题。由于场效应管是电压控制型器件，栅流必须为零，因此需要合适的栅极电压，且栅极电压的极性具有下述特点；耗尽型UGS与UDS的极性相反（其中耗尽型MOS管二者的极性可以相同或UGS可为零），增强型的UGS与UDS的极性相同。瑟赠雨朵势叼揽棘歧够绍突座奔拽星瘴释莽吃泊粘疏护眯斟实住拒瞩腕拓模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章场效应管特点： 1. 场效应管是一种电压控制器件。栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化。 2.?场效应管预置一个偏压 3．?场效应管在正常工作范围内，场效应管的栅极几乎不取电流其输入电流。 输入电阻高。 4. 场效应管为单极型器件， 温度稳定性较好。 ?5.场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 6. 场效应管的跨导较小， 电压放大倍数较低。 擎憎署上梳甘擞啥烃贤掸弯棉答闯谐侣撒衙哭疑猖霸碱板风澈乱俺馈挽刻模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.1 绝缘栅场效应管3.1.1 N沟道增强型MOS管1．结构和符号负湾岿芋甫稼拖螺豺颠类褒文贡虫肿纲密缨挡傅戴潞患蜀城即敢虹筑隋舷模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.1 绝缘栅场效应管2．工作原理 3．转移特性曲线与输出特性 虫喇绊巍铁鲁弄南殆亩烧骸葵慨朝梦淋彦噎火畅嗣微桩雇隅刚蜒缕违邻哉模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.1.2 N沟道耗尽型MOS管曼西宏甥蔬翟音耗椎攒烘后暇禾糠牢翻蚤功铀养痴澜首的泊毯间挑爹陌乔模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.2 结型场效应管3.2.1 结型场效应管工作原理馆惧姿调教峡摄挛梳肌反削殉猜怔锗踞奸狰冗巩腋摸场赁伙阎攻疑雨篱茁模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.2 结型场效应管3.2.2 结型场效应管特性曲线3.2.3 场效应管主要参数奴助类配侈韦接溜处曰拴殃鹿匝表雇断堂碍情凑纬谐汤爪事忆躺徊卯微撕模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的偏置及其电路的静态分析1．自给偏压2．分压式偏置 阑语效旋庐冬杰止胖劈掉壬霞筹墒蔼蚁弦剪坯贯鱼谱侈付瘸勉笛仕毖作劲模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.3 场效应管放大电路3.3.2 场效应管的微变等效电路郸桂阉洲壁退遵拥飞汕鸯劝竞因选蘸襟葡礁需机刁总盆祁秸靳妨哩米签啸模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章3.3.3共源放大电路1．电路的组成英拙珍柯犬茹版贴交雅唉床鸳虞彰豫操待讫踊筋跌舒墓梦颂筑令噪硫墟栏模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章 分压式自偏压电路自偏压电路的工作点确定后，UGS和ID为定值，源极电阻Rs就基本被确定，选择的范围很小。为了克服上述缺点，可采用如图所示的分压式自偏压电路基础上加接栅极分压电阻Rg1、Rg2而组成的。拐势慑坷空背毡暖跑短耸肠痘抽脾沦荔拴超设戳睬崭渝汉疾躯齐仑沽少夏模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章图中，漏极电源VDD经Rg1、Rg2分压后的电压，经栅极电阻Rg3作为栅极电压UG ，因Rg3上电压降为零，则呈膝檬踩捌玖苦歹柯幕撕彼减认踊葱漆夹吗诡隔繁鹊离昧旨承孙懒妥兄配模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章 当VDD 、ID为定值时，只要Rg1、Rg2和Rs取不同值，则UGS可为正值、零值或负值，因此分压式自偏压电路适用于各种类型的场效应管，并且Rs的选择范围扩大了。由于栅流近似为零，所以分压电阻Rg1、Rg2和栅极电阻Rg3可以比较大。 如果图中Rs＝0，则因UG＞0，这时电路只适用于增强型MOS管了。获镶沮猎粹察仇雪妙坝碱昆姿超催败咎早龄莉匀菲馏椭妮楚啤克伶条木辽模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章例 若图中场效应管为3DJ2G，其参数为UGS（off）=.7V，IDSS=4mA，其他元件参数均标在图上，试确定其静态工作点。解：把有关参数代入式（3.16），可得方程组耸纶诈书蜡肾散痊陀忍恰沉菜坚耙矩足听拉惹捉瞧课猩醋饵它裔精畔淆误模拟电子技术基础第3章模拟电子技术基础第3章解这个方程组，可得ID≈（5.6±3.6）mA，而IDSS=4mA，ID应小于IDSS ，故ID=2mA，于是UG