第18章 化学机械平坦化.ppt

第十六章 化学机械平坦化 多层金属化结构 非平坦化的IC剖面 平坦化的IC剖面 16.1 传统的平坦化技术 16.1.1 反刻 由表面图形形成的表面起伏可以用一层厚的介质或其它材料作为平坦化的牺牲层来进行平坦化，这一层牺牲层材料填充空洞和表面的低处。然后用干法刻蚀技术刻蚀这一层牺牲层，通过用比低处图形快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面平坦化。这一工艺称为反刻平坦化。 反刻平坦化 16.1.2 玻璃回流 硼磷硅玻璃（BPSG）和其他掺杂氧化硅早已被用做层间介质，是采用APCVD淀积的。玻璃回流是在升高温度的情况下给掺杂氧化硅加热，使它发生流动。BPSG的这种流动性能用来获得台阶覆盖处的平坦化或用来填充缝隙，如此就可以获得在图形周围进行部分平坦化的方法。但是不足以满足深亚微米IC中的多层金属布线技术的要求。 BPSG回流平坦化 16.1.3 旋涂膜层 旋涂膜层是在硅片表面上旋涂不同液体材料以获得平坦化的一种技术，主要用作层间介质。旋涂利用离心力来填充图形低处，获得表面形貌的平滑效果。这种旋涂法的平坦化能力与许多因素有关，如溶液的化学组分、分子重量以及粘滞度。 旋涂的膜层材料是有机或无机的材料，包括光刻胶、旋涂玻璃（SOG）和多种树脂。旋涂后的烘烤蒸发掉溶剂，留下溶质填充低处的间隙。 淀积了ILD-2氧化层的旋涂膜层 16.2 化学机械平坦化 化学机械平坦化的原理图 CMP抛光垫 一．CMP的平整度 CMP在制造中用来减小硅片厚度的变化和表面形貌的影响。硅片的平整度和均匀性的概念在描述CMP的作用方面很重要。平整度描述从微米到毫米范围内硅片表面的起伏变化，均匀性是在毫米到厘米尺度下测量的，反映整个硅片上膜厚度的变化。因此，一个硅片可以是平整的，但不是均匀的，反之亦然。 硅片平整度的测量 因此，DP与某一特殊图形有关，DP可通过下式来计算： DP(%) = （1—SHpost / SHpre）×100 其中，DP = 平整度 SHpost = CMP之后在硅片表面的一个特殊位置，最高和最低台阶的高度差 SHpre = CMP之前在硅片表面的一个特殊位置，最高和最低台阶的高度差 如果CMP之后测得硅片表面起伏是完全平整的，则SHpost = 0并且DP = 100%。这意味着CMP的平坦化是完美的。 二．CMP技术的特点 CMP技术的优点： 1．能获得全局平坦化； 2．各种各样的硅片表面能被平坦化； 3．在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用； 4．允许制造中采用更严格的设计规则并采用更多的互连层； 5．提供制作金属图形的一种方法。 6. 由于减小了表面起伏，从而能改善金属台阶覆盖； 7．能提高亚0.5微米器件和电路的可靠性、速度和成品率； 8．CMP是一种减薄表层材料的工艺并能去除表面缺陷； 9．不使用在干法刻蚀工艺中常用的危险气体。 CMP技术的缺点： 1．CMP技术是一种新技术，对工艺变量控制相对较差，并且工艺窗口窄； 2．CMP技术引入的新的缺陷将影响芯片成品率，这些缺陷对亚0.25微米特征图形更关键； 3. CMP技术需要开发别的配套工艺技术来进行工艺控制和测量； 4. 昂贵的设备及运转、维护费用。 三．CMP的机理 有两种CMP机理可以解释是如何来进行硅片表面平坦化的: 1) 表面材料与磨料发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层； 2）这一反应生成的硅片表面层通过磨料中研磨机和研磨压力与抛光垫的相对运动被机械地磨去。 1．氧化硅抛光: 氧化硅抛光是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。 氧化硅CMP的基本机理是磨料中的水与氧化硅反应生成氢氧键，降低了氧化硅的硬度、机械强度和化学耐久性。抛光过程中，在硅片表面会由于摩擦而产生热量，这也降低了氧化硅的硬度。这层含水的软表层氧化硅被磨料中的颗粒机械的去掉。 CMP 氧化硅机理 2．金属抛光： 金属CMP的机理与氧化硅抛光的机理不同。磨料与金属表面接触