第二章 静电场中的导体和电介质：电容器的电容.pptVIP

§2.5 静电场中的边值关系 一、有电介质时的静电场方程 真空中的静电场的高斯定理和环路定理在介质中同样成立。 环路定理 闭合曲面S内包围的自由电荷和极化电荷的代数和 自由电荷和极化电荷产生的总场强 高斯定理 在电介质中，为了在方程中避免出现极化电荷，引入电位移矢量 。则两个定理可写成： 环路定理 电介质中的电场同样遵守环路定理，因为极化电荷激发的电场与自由电荷是相同的 要从以上两个方程中得到D和E的关系的唯一解，还必须补充 电介质的性质方程 如果已知自由电荷和电介质分布以及每种电介质的电容率，原则上可以根据以上三个方程唯一确定矢量场D和E的分布。 高斯定理 闭合曲面S内包围的自由电荷的代数和 二、静电场的边值关系 用静电场方程的积分形式和电介质的性质方程推导电介质分界面两侧紧靠界面处的D、E的边值关系。 介质1 介质2 在电介质内作一闭合圆柱面，其底面积ΔS为无限小且平行于界面，侧面积为二级无限小。界面法线单位矢量规定为由介质1指向介质2 。 闭合曲面上的电位移通量为 ΔS ∴ 即 有面电荷分布情况下高斯定理的微分形式或电位移所遵守的边值关系 D的边值关系表明，在电介质的界面上有自由电荷时，D的法向分量是不连续的。 可见，电介质界面上无自由电荷时，D的法向分量是连续的。但是不论界面上是否有自由电荷， 在界面上无自由电荷的情况下，即 时 而 由高斯定理 E的法向分量是不连续的，因为界面上总是有极化电荷。 无论是电介质还是真空中的静电场都遵守 因为极化电荷激发电场的性质与自由电荷是相同的。所以，两种电介质的界面上场强的 环路定理 边值关系： 或 上式表明，在两种电介质的界面上，场强的切向分量是连续的。这是面电荷分布情况下电场无旋性的表示式。 ∴ 界面上无自由电荷时，界面上两侧场强的法向分量与两侧电介质的电容率成反比。 代入 得 ∴ 界面上两侧电位移的切向分量与两侧电介质的电容率成正比。 在两种电介质界面上无自由电荷的情况下 在两种电介质界面上不论是否有自由电荷 体电荷分布 面电荷分布 高斯定理 环路定理 电介质的性质方程 极化强度与极化电荷的关系 小结：有电介质时，静电场的基本规律 §2.8 电容器的电容 一.孤立导体的电容 例1 .求半径为R的孤立导体球的电容。 C是与导体的尺寸和形状以及周围的电介质有关,与q，V无关的常数。 （法拉） 解: 二.电容器 若某导体附近有其它导体存在，则该导体的电势V不仅与它本身所带的电量q有关，而且还与其它导体的大小、形状和相对位置以及它们周围的电介质的性质和分布有关。所以，不可能再用一个恒量来C=q/V来反映V和q之间的关系了。 如图，A是一个导体，B是一个封闭导体壳， A 、B之间充满电介质。若使A带电量q，则B的内表面带电量–q，A、 B之间有电势差VA–VB。如果A上的电量由q→nq，则B的内表面的电量由– q→ – nq， 而A、 B之间的电势差也由 VA–VB →n(VA–VB )。这表明A、 B之间的电势差与导体A所带的电量成正比。由于导体壳的静电屏蔽作用， A、 B之间的电势差不受B外其它导体及其带电情况的影响。这种情况下，比值q/ (VA–VB )是一个与其它导体无关的恒量。因此，电势差与电量成正比且不受其它导体影响的两个导体组成的系统称为电容器。每个导体称为电容器的极板。 定义：电容器的电容 上式表明，电容器的电容在数值上等于两极板上的电势差每升高一个单位所需要的电量。电容器的电容的单位与孤立电容的单位相同。 ①假设两极板分别带电荷 ，求得两极板间 ，进而计算出VA–VB； 电容器的电容是一个只与两导体的尺寸、形状和相对位置及它们之间的电介质的性质和分布有关，与q和VA–VB无关的恒量。 ②所求的C = q/VA–VB一定与q和VA–VB无关，仅由电容器本身的性质决定。 (一)步骤： 电容器电容的计算 (二)举例： [解]: 例2 .求极板面积为S，间距为d的平行板电容器的电容。 d 充满电介质的平行板电容器的电容 真空平行板电容器的电容 在电容器极板上电荷不变的情况下,若在电容器中填充电介质,则将使其中的场强减小,而两板间的电势差随之降低,从而使其电容增大。 在真空情况下 在充满介质情况下 例3 .求圆柱形电容器的电容。已知L(R2–R1) 解: 设A带电量为+q，单位长度带电量为?，B带电量为–q，单位长度带电量为–? 由于L(R2–R1)，可近似地把圆柱形电容器视为无限长的同轴圆柱面，由高斯定理求出 R1 R2 L A B ε 两极板间充满电介质的圆柱形电容器的