三极管的开关特性3.PPT

① ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0， 三极管工作在截止状态，ic=0。 因为ic=0，所以输出电压： uo=VCC=5V ② ui=1V时，三极管导通，基极电流： 因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA，输出电压： 三极管临界饱和时的基极电流： uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V ③ui＝3V时，三极管导通，基极电流： 而 因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压： uo＝UCES＝0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － 截止状态 ui=UIL0.5V uo=+VCC 饱和状态 iB≥IBS ui=UIH uo=0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － 0.7V 0.3V 2、三极管的开关特性 3、场效应管MOS的开关特性 MOS管最显著的特点也是具有放大能力。 不过它是通过栅极电压UGS 控制其工作状态的， 是一种具有放大特性的由电压UGS控制的开关元件 源极 漏极 栅极 3、场效应管的开关特性 工作原理电路 转移特性曲线 输出特性曲线 ui uo G D S + + - - 可变电阻区 截止区 恒 流 区 G D S RD +VDD G D S RD +VDD 截止状态 uiUT uo=+VDD 导通状态 uiUT uo≈0 2.1 半导体器件的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.3 TTL集成门电路 2.4 CMOS集成门电路 退出 第2章 逻辑门电路 　　逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。 　　基本和常用门电路有 与门、或门、非门（反相器）、 与非门、或非门、与或非门和异或门 　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。 　　逻辑0和1： 电子电路中用高、低电平来表示。 2.1 半导体器件的开关特性 1、二极管的开关特性 二极管符号： 正极 负极 ＋　uD 　－ Ui0.5V时，二极管导通。 Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 uo uo ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 2、三极管的开关特性 半导体三极管最显著的特点是具有放大能力，能通过基极电流iB控制其工作状态， 是一种具有放大特性的由基极电流控制的开关元件 饱和区 截止区 放 大 区