太阳电池技术入门.PPT

9.1 前言 III-V族化合物，是指由週期表的III族元素(例如Ga、In等)與V族元素(例如P、As等)所形成的半導體材料，例如砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)等。使用這類III-V族化合物太陽電池的最主要優點是，它可以達到超過30%以上的轉換效率，特別適用在太空衛星的能源系統上。 新一代的GaAs多接面太陽電池(multijunction cell)，例如GaAs、Ge和GaInP2的三接面太陽電池，因可吸收光譜範圍非常廣，所以轉換效率已可高達39%以上。 9.2 III-V族化合物之特性 III-V族化合物可以包括有磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlP)、銻化鋁(AlSb)、氮化鍺(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)、及砷化銦(InP)等組合。 在太陽電池的用途上，III-V族化合物與矽相比較的話，具有以下的特性： 1. 高能量轉換效率：一般最佳的太陽電池材料之能隙為1.4～1.5eV之間，所以能隙為1.43eV的GaAs及1.35eV的InP，會比1.1eV的矽更適合用在高效率太陽電池上。 2. 適合薄膜化： III-V族化合物多為直接能隙的材料，因此僅僅數微米的厚度，就能吸收到足夠的太陽光。 3. 耐放射線損傷 4. 更適合聚光技術(concentrator technology)