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AN-1432 应用笔记 One Technology Way • P.O. Box 9106 • Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. • Tel: 781.329.4700 • Fax: 781.461.3113 • 高功率IC的实用热建模和测量 作者：Benjamin Babjak、Rachel Corey White和Adam Bray 简介 精准监控集成电路 (IC) 温度对各类应用都很重要。然而， 因此，器件温度传统上是一个反映器件故障和整体可靠性 测量IC 温度并非一件轻而易举的事情，因为器件上的温度 的指标。具体来说，由于器件周期供电以及故障，频率和 不是均匀的，而且它不仅仅取决于环境温度。工作IC 中的 温度变化幅度之间存在某种关系。因此，精确的温度估计 有源硅区域要消耗功率，因此会发热。 对提高性能和一致性至关重要。 不适当的温度（过高或过低）会危及器件的安全运行和性 本应用笔记简单介绍了利用被测器件 (DUT) 的温度敏感参 能。过高温度会加速老化，从而提高金属迁移等退行性过 数（TSP ，如二极管的正向压降）估计结温的基本原理、现 程及相关故障（例如焊线与芯片焊盘分离）的发生概率。 有标准和做法，使读者能有一个直观的了解。本文解释了IC 高温对模拟性能、工作速度和器件间的时序一致性也可能 的温度测试方法，并提供了现代高速模数转换器 (ADC) 的 有不利影响。此外，高温可能引起不希望发生的器件行为， 测试结果。 如闩锁等。 Rev. 0 | Page 1 of 9 AN-1432 应用笔记 目录 简介1 结果 6 修订历史2 实际设置—TherMal腔模型 7 热模型的简要背景3 模型 7 静态模式和壳温4 计算 8 动态模式和温度敏感参数4 结果 8 基于二极管的温度测量单元4 参考文献 9 确定温度和TSP之间的关系6 修订历史 2016年10月—修订版0 ：初始版 Rev. 0 | Page 2 of 9 应用笔记 AN-1432 热模型的简要背景 TJ TA θJC TC