第三章 的存储系统[二].pptVIP

3.3 半导体存储器芯片 3.3.3动态RAM芯片(DRAM) SRAM单元电路由一个双稳态触发器电路构成，只要不断电就能长久保持信息，不需刷新，工作稳定可靠。但它也有缺点：功耗大，集成度低。 DRAM单元电路恰好克服了这种缺点。DRAM记忆单元电路可以由四个或单个MOS管组成，其存储原理是：利用芯片电容上存储电荷状态的不同来记录信息。 用电容来存储信息减少了构成一个存储元所需的晶体管数量，故集成度高；但电容本身不可避免产生漏电，存储器芯片需要周期刷新才能保持信息，所以称为动态存储器，由它做成的随机存取存储器简称为DRAM。 1、单管MOS动态存储单元电路 (1)电路组成：一只 MOS管T和一个电容C。电容C用来 存储电荷，控制管T 用来控制充放电回路 的通断。 (2)定义:当电容C上充电 至高电平,存入信息为1; 当电容C放电至低电平, 存入信息为0。 1、单管MOS动态存储单元电路 (3)工作原理 ①写入：字线W加高电平，T管导通。 若要写入1，位线D加 高电平，D通过T对C充电， 电容充有电荷呈高电平V1。 若要写入0，位线D加 低电平，电容C通过T对D 放电，呈低电平V0。 (3)工作原理 ②保持：字线W加低电平，T管截止。 T管截止，使电容C基本 没有放电回路。电容上的电 荷可以暂时保存约数毫秒