过压保护器件.ppt

过电压保护器件知识简介 过电压保护器件 1、浪涌电压的来源 2、主要防雷元件简介 3、过电压保护器件工作原理 4、过电压保护器件工艺及其质量保证 5、过电压保护器件分类 6、过电压保护器件选型 7、过电压保护器件简介 8、过电压保护器件的应用 一、浪涌电压的来源 1、雷击、闪电 2、工业过电压 3、静电感应（ESD） 4、核磁辐射 雷击损坏设备的渠道 浪 涌 电 压 雷电流对比图 工业过电压 瞬间过电压 电气短路、开路 (circuit breaker, fuse...) 开关电闸 (switching circuits...) 感性容性负载通断 临时过电压 相线错误、地线错误 (IT network...) 零线开路 静电感应Electro-Static Discharge 人体的电容量大约为 100 至 300 pF 在地毯上行走大约会产生 25-40 kV的高压 在接触时约会产生 5 到 15 kV / 25 ns的放电 对极为敏感的集成电路产生干扰或破坏 核电磁脉冲核辐射电场磁场以上能量的瞬变带来的浪涌脉冲 统计数据 浪涌电压对设备损伤后果 部分或整体损坏 干扰正常功能，无法完成正常使用效果 设备加速老化，缩短寿命 雷击损坏图例 防 雷 保 护 实现分级浪涌保护示意 二、主要防雷元件 气体防雷管（间隙放电器件）1000ns 压敏电阻器 (MOV) 25ns 瞬态二极管 0.1ns 过压保护器件 0.1ns 气体放电管 气体放电管有两个电极，它们安置在一个充满惰性气体的管子内，彼此相距很近。在断路状态下，电阻很大，寄生电容很小；当高电压（90，150，230，260和350V是典型的气体管电压）加到两极时，管中的气体发生电离，电路导通，导通电阻很小，可承受很大的冲击电流，但导通速度较慢（us级），可靠性差，每次冲击都会退化，承受几百次的冲击后，就会失效。 TVS二极管 TVS二极管是特别设计用来提供过压保护的二极管。它在反向应用条件下，当承受瞬变电压超过其击穿电压时，其工作导通电阻很小，允许大电流通过，并将电压箝位到预定水平，从而起到保护作用。TVS二极管的最大优点是箝位系数小，体积小、响应速度快、每次经受瞬变电压和浪涌后其性能不会退化，可靠性高等。其缺点是寄生电容大，耐电流量小。 半导体过电压保护器件 采用了先进的离子注入技术，开启电压的一致性好，明显优于气体放电管和压敏电阻 采用了SCR结构，浪涌电流的吸收能力强，明显优于瞬态抑制二极管(TVS) 纳秒（10E-9）级的响应速度 无极性、双向保护、可靠性高、寿命长 三、过压保护器件  工作原理 基本结构与电特性 工作原理 反向工作状态（K端接正、A端接负） 正向工作状态（A端接正、K端接负） 1、阻断区； 2、雪崩区； 3、负阻区； 4、低阻通态区。 阻断区 此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。 雪崩区 当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场大大增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区 。 过电压保护器件的反向偏置示意图 负阻区 当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。另一方面，J1、J3结的正向电压却有所增加，注入增强，造成通过J2结的电流增大，于是出现了电流增加电压减小的负阻现象。 低阻通态区 如上所述，雪崩效应使J2结两侧形成空穴和电子的积累，造成J2结反偏电压减小；同时又使J1、J3结注入增强，电流增大，因而J2结两侧继续有电荷积累，结电压不断下降。当电压下降到雪崩倍增完全停止，结电压全部被抵消后，J2结两侧仍有空穴和电子积累时，J2结变为正偏。此时，J1、J2和J3全部为正偏，器件可以通过大电流，因而处于低阻通态区。完全导通时，其伏安特性曲线与整流元件相似。 芯片封装工艺步骤 金属化 粘 片 划片之后，将贴有圆片的绷膜环安装在粘片机上，光学扫描仪在大圆片上检测到好管芯后，将之从蓝膜上顶起，用吸嘴吸起送至支撑台上，使之通过粘接剂粘