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第 10 卷第 4 期 信息技术快报 Vol.10 No.4 Information Technology Letter Jul. 2012 基于闪存的外存储技术综述 魏巍 熊劲 蒋德钧 摘 要 闪存（Flash ）在访问延迟、传输带宽、价格方面介于DRAM 和磁盘之间，而且密度比 DRAM 和磁 盘高，能耗比它们低，因此近几年基于闪存的外存储技术成为研究的热点。本文总结了目前基于闪存的外 存储技术，重点分析了两类软件体系结构，以及与其相关的研究问题和关键技术。并且基于对研究现状的 分析，我们认为未来的研究方向是如何充分发挥闪存存储器的最大价值。 1 引言 1 闪存是一种电可擦除可编程只读非易失性存储器，也叫Flash EEPROM ，最初于 1984 年由东芝公司的舛岡富士雄（Fujio Masuoka ）博士发明。早期由于价格昂贵，闪存最先被应 1 v 用于嵌入式系统作为标准存储器。随着器件制作密度的提高和价格的降低，闪存被应用到笔 9 记本电脑中代替磁盘，以及被应用到企业级存储的高端存储阵列中。目前随着大规模数据中 8 心的电力和相关的冷却开销成为制约数据中心密度和能力增长越来愈重要的因素，低能耗、 5 0 高性能的闪存已被引入到以数据处理为中心（Data-Intensive Computing ）的高性能计算系统 0 中[3][6] 。可以预见，闪存的应用将越来越广泛。 . 5 [1] 0 2 表1. DRAM 、NAND 与 HDD 的比较 与内存所用的 DRAM 器 6 件及磁盘相比，闪存在访问延 DRAM NAND HDD 1 0 迟、传输带宽、密度、价格和 读/写延迟 0.1μs ~100μs 3000~5000μs 2 能耗方面弥补了 DRAM 和磁 启动耗能（W/GB ） 0.4 ~0.01-0.04 ~0.04 : v 盘之间的差异。表 1 给出了三 待机耗能 ~25%启动耗能 10%启动耗能 ~20%启动耗能 i 擦除次数 无限制 4 X 者在能耗、读写延迟、价格/ 10 无限制 a 容量比、可靠性方面的对比。 数据保留时间 64ms ~10 年 10 年 n 可以看出，正是由于在价格、 价格/容量 10 美元/GB 2 美元/GB 0.1 美元/GB i h 性能、能耗等方面的综合优势，才使得闪存的应用范围越来越广泛。 c 但是闪存也有结构上的缺点：每个存储单元只有在擦除以后才能写数据，并且擦除操作 所需的时间比写操作多一个数量级；另外每个存储单元的擦除次数有限，而且随着密度增高， 可擦除次数减少。这些缺点在应用闪存时不可避免，因此如何运用好闪存成为研究闪存的热 点之一。