弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜-中国科技论文在线.PDFVIP

第 26卷 第 6期 半 导 体 学 报 Vol_26 No．6 2005年 6月 CHINESEjoURNALOFSEMIC0NDUCTORS June，2005 弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜 制备与特性的影响* 黄君凯 杨恢东 (暨南大学电子工程系，广州 510632) 摘要：研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微 晶硅薄膜(c-Si：H)及材料特 性的影响．实验发现 ，随着弱硼补偿剂量的增大 ，~c-Si：H薄膜 的沉积速率先减小后增加，变化范 围约为 0．7～ 0．8nm／s．相 比较而言，材料的结晶度 以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化，且变化 的幅度较大 ，当弱 硼补偿剂量大于 2．5ppm时，过度的弱硼补偿将导致 t~c-Si：H薄膜的结晶状况恶化．此外，光敏性、暗电导及电导 激活能的测量结果进一步表明，弱硼补偿显著影响 肛c-si：H薄膜 的光电特性 ，弱硼补偿剂量为 2．5ppm左右时，材 料 的光电特性最为理想．因此 ，优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量 t~c-Si：H材料的有效途径． 关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积 ；氢化微晶硅薄膜 ；弱硼掺杂补偿 PACC：8115H ；7280N ；7360F 中图分类号：TN304．055 文献标识码 ：A 文章编号：0253—4177(2005)O6一l164一O5 纯化器 l『；三是进行弱硼掺杂补偿口 ．相比较而言， 1 引言 前两种措施都要增大设备 的费用投入 ，不利于降低 c—Si：H薄膜太阳能电池的成本 ，而第三种技术只 近年来，低温沉积的氢化微晶硅 (c—Si：H)薄 要得到合理应用，可以成为获得较好的本征 c-Si： 膜在太阳能电池口 与薄膜 晶体管[3等研究领域得 H薄膜材料 的低成本方法．因此 ，本文采用弱硼掺 到了越来越广泛的应用．尤其在 PIN型微晶硅薄膜 杂补偿方法，对本征 ttc-Si：H薄膜的制备与特性进 太阳能电池的研究中，获得质量优 良的本征微晶硅 行 了研究． (I层)材料 已成为广大研究人员的共识．然而 ，由于 t~c-Si：H具有间接带隙，为保证充分 的光吸收，作 2 实验 为太阳能 电池有源层材料 的厚度通常达几个微 米 ]，因此提高 c—Si：H薄膜 的沉积速率成为 z／c- 实验中所用 的 c—Si：H薄膜都是在平行板电 Si：H薄膜研究的热点[5~7]．其 中，甚高频等离子体 容耦合方式 的VHF_PECVD系统 中制备．衬底为 增强化学气相沉积 (VHF_PEcVD)技术与常规 的 Corning7059玻璃，电极为方形 (4cm×6cm)，其间 RF-PECVD技术能够很好地兼容，因此在 c—Si：H 距为2．5cm，衬底温度的恒定由一 自动控温 的辐射 薄膜的制备研究中得到了广泛关注并取得了较大的 加热器来实现，甚高频电源 的频率为 60～90MHz， 进展 8『引．然而 ，沉积速率 的提高通常会导致材料 功率范围为 0～100W ，真空室的本底真空约为 1× 质量的下降，一般说来 ，高速沉积的 c—Si：H薄膜 10 Pa，弱硼补偿 的剂量则通过质量流量计予 以控 通常为弱 n型．为 了获得质量优 良的 c—Si：H薄 制．实验中共制备了5个不 同硼补偿剂量的典型样 膜 ，人们在实验上作了多种尝试 ，概括说来主要有三 品，其他制备条件 均相 同：甚高频 电源频率为