光学及磁学特性的影响.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 4 (2014) 047501 热退火对Mn 离子注入非故意掺杂GaN微结构、 光学及磁学特性的影响 徐大庆 张义门 娄永乐 童军 1)(西安科技大学电气与控制工程学院, 西安 710054) 2)(西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071) ( 2013 年9 月9 日收到; 2013 年10 月31 日收到修改稿) 通过Mn 离子注入非故意掺杂GaN 外延层制备了GaN : Mn 薄膜，并研究了退火温度对GaN : Mn 薄膜 的微结构、光学及磁学特性的影响. 对不同退火温度处理后的GaN : Mn 薄膜的拉曼谱测试显示, 出现了由与 离子注入相关的缺陷的局域振动(LV) 和(Ga, Mn)N 中Mn 离子的LV 引起的新的声子模. 在GaN : Mn 薄膜 的光致发光谱中观察到位于2.16, 2.53 和2.92 eV 处的三个