关于PID技术的深能级光离化截面测试方法.pdf

第29卷第8期 半导体学报 V01．29NO．8 OF 2008年8月 JOURNALSEMICONDUCTORS Aug．，2008 基于PID技术的深能级光离化截面测试方法* J一 王 直莹1’’ 丁椰I李新化2nJ (1安徽大学电子科学与技术学院，合肥230009) (2中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室，合肥230031) tive)技术的深能级中心光离化截面的测试方法．在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中，使用该方法得到 能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面．与现有技术相比，该方法的优点是操作方便、测试相对准确，可作为一种 缺陷“指纹”鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中． 关键词：光离化截面；深能级中心；biD PACC：7155G；7240；3280F 中图分类号：TN0474文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008}08—1585·04 载流子浓度[4]． 1 前言 光电导谱，他提出持续光电导光电流上升的过程应当遵 深能级中心的光离化谱又称为深能级缺陷的“指 循指数规律，可以用下式描述： (1) 纹”鉴定，同一种深能级缺陷在材料和器件结构中将展 G(t)=GD+GI(t) (2) 现出相同的光离化谱谱型，通过深能级中心的光离化谱 G1(t)=Go(1一e叫’) 谱型分析，可以有效鉴定器件结构中存在的深能级中心 式中 是否同材料中的深能级中心一致． 之和，其中为ri为光电流上升的时间常数，由深能级缺 深能级中心光离化谱的测试关键在于测试不同入 陷的特点，t展现了对入射光谱的依赖特性，根据分析 射光情况下深能级中心的光离化截面．在GaAs体系可得 中，使用深能级中心瞬态光谱法可以精确测得～GaAs vi。C (3) 1／(aopt①) 材料和GaAs／AlGaAs结构中DX(donorcomplexy)中式中西对应于光子强度． 心光离化截面，使得基于深能级光离化谱分析的DX中 通过光电流上升的时间常数≈和入射光子强度西 心缺陷理论和实验研究在指导材料生长和器件制备工 的数值，可以计算出不同入射光照情况下深能级光离化 作中获得了巨大成功[1~3]．由于GaN与GaAs同属于截面的相对值，并画出光离化截面同入射光子能量的关 Ⅲ．V族化合物半导体材料，因此，人们也期待使用同样 系，得到光离化谱[5]． 的方法对GaN基材料的深能级中心进行研究．然而，由 于GaN材料禁带较宽，相应深能级中心能级较深，使得 深能级光离化截面的测量方法均建立在半导体器件和 基于锁相放大技术的深能级中心瞬态光谱法在GaN材材料的光电流特性分析的基础上．在Klein的方法中， 料体系的光离化截面测试研究中受到限制．Klein等人被测样品是高电子迁移率晶体管，在入射光子的作用 electronicmobil· 在GaN基高电子迁移率晶体管(high 下，从深能级中心逃逸出的载流子将进入GaN／AlGaN transistors，HEMTs)的电流崩塌效应的