关于PID技术的深能级光离化截面测试方法.pdfVIP

第29卷第8期 半导体学报 V01．29NO．8 OF 2008年8月 JOURNALSEMICONDUCTORS Aug．，2008 基于PID技术的深能级光离化截面测试方法* J一 王 直莹1’’ 丁椰I李新化2nJ (1安徽大学电子科学与技术学院，合肥230009) (2中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室，合肥230031) tive)技术的深能级中心光离化截面的测试方法．在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中，使用该方法得到 能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面．与现有技术相比，该方法的优点是操作方便、测试相对准确，可作为一种 缺陷“指纹”鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中． 关键词：光离化截面；深能级中心；biD PACC：7155