宽禁带功率半导体器件技术.pdfVIP

第38卷第5期 电子科技大学学报 、，oI．38No．5 and ofChina Journal ofElectronicScience 2009经9fl ofUniversity Technology Sep．2009 宽禁带功率半导体器件技术 张 波，邓小川，陈万军，李肇基 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054) 半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的 半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展，包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁 带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述，并对其发展前景进行了展望。 关键词氮化镓；功率器件：碳化硅：宽禁带半导体 中图分类号TN3 文献标识码A doi：10．3969／j．issn．1001—0548．2009．05．018 for Wide SemiconductorsPowerElectronics Bandgap ZHANG LI Bo，DENGXiao．chuan，CHENW抽-jun，andZhao-ji ofElectronicThinFilmsand ofEk：cnonicScienceand ofChina (StateKeyLaboratory IntegratedDevices，Unive,sity Technology Chengdu610054) assilicon AbstractWide semiconductors，such bandgap carbide(SIC)andgallium consideredtobeexcellentcandidatesfor and temperature inthe hi班power，highfrequencyhigh applications commercialand distributionandconversion ofwide materials militarypower systems．Theadvantagesbandgap overtheconventionalSiandGaAsincludewide saturationelectron critical bandgap，high velocity，andhigh field．Inthis inthe of SiCandGaN electric recent paper，theprogressdevelopmenthigh—voltage powerswitching devicesisreviewed．The ofvariousrectifiersandtransistors．whichhavebeen experimentalperformance andtechnical onSiCandGaN devicesarealsodescribed．The demonstra