英特尔芯片技术40年来大突破漏电量将锐减.pdfVIP

ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 英特尔芯片技术40年来大突破漏电量将 锐减 6 月13 日消息，英特尔的基本晶体管设计 取得了一项巨大的进步。英特尔披露称，它正在 使用两种全新的材料制作45 纳米晶体管的绝缘 层和开关栅。 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 据.tw 网站报道，英特尔下 一代Core2Duo、Core2Quad 和Xeon 等多内核处 理器将使用数亿个这种微型晶体管。英特尔称， 它有5 个早期版本的产品正在运行。这是英特尔 计划生产的15 个45 纳米处理器中的第一个。 这种晶体管能够让英特尔继续提供创纪录 的台式电脑、笔记本电脑和服务器处理器的速 度，同时减少晶体管的漏电量。晶体管漏电影响 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 到芯片和PC 设计、尺寸、耗电量、噪声和成本。 这个技术还将保证摩尔定律在下一个10 年仍然 发挥作用。 英特尔认为，通过推出可以工作的代号为 Penryn 的45 纳米处理器，英特尔已经把它领先 于半导体行业其它竞争对手的优势扩大到了一 年以上。 英特尔是第一个在45 纳米技术中采用创新 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 方法把新材料结合在一起的公司。这些新材料将 显著减少晶体管的漏电量和提高性能。英特尔将 使用一种属性称作high-k 的新材料制作晶体管 栅绝缘体，用一种新的金属材料组合制作晶体管 栅电极。 英特尔共同创始人GordonMoore 说，采用 high-k 和金属材料标志着自从60 年代末推出多 晶硅栅MOS 晶体管以来晶体管技术的一个最大 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 的变化。 英特尔高级研究员MarkBohr 说，在45 纳米 工艺技术中采用high-k 和金属栅晶体管将使英 特尔能够提供速度更快、更节能多内核产品，把 摩尔定律延续到下一个 10 年。 6 月13 日消息，英特爾的基本晶體管設計 取得瞭一項巨大的進步。英特爾披露稱，它正在 使用兩種全新的材料制作45 納米晶體管的絕緣 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 層和開關柵。 據.tw 網站報道，英特爾下 一代Core2Duo、Core2Quad 和Xeon 等多內核處 理器將使用數億個這種微型晶體管。英特爾稱， 它有5 個早期版本的產品正在運行。這是英特爾 計劃生產的15 個45 納米處理器中的第一個。 這種晶體管能夠讓英特爾繼續提供創紀錄 的臺式電腦、筆記本電腦和服務器處理器的速 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 度，同時減少晶體管的漏電量。晶體管漏電影響 到芯片和PC 設計、尺寸、耗電量、噪聲和成本。 這個技術還將保證摩爾定律在下一個 10 年仍然 發揮作用。 英特爾認為，通過推出可以工作的代號為 Penryn 的45 納米處理器，英特爾已經把它領先 於半導體行業其它競爭對手的優勢擴大到瞭一 年以上。 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 英特爾是第一個在45 納米技術中采用創新 方法把新材料結合在一起的公司。這些新材料將 顯著減少晶體管的漏電量和提高性能。英特爾將 使用一種屬性稱作high-k 的新材料制作晶體管 柵絕緣體，用一種新的金屬材料組合制作晶體管 柵電極。 英特爾共同創始人GordonMoore 說，采用 high-k 和金屬材料標志著自從60 年代末推出多 ＴＵＰＩＡＮＤＡＱＵＡＮ．ＣＮ DD 图片大全 晶矽柵MOS 晶體管以來晶體管技術的一個最大 的變化。 英特爾高級研究員MarkBohr 說，在45 納米 工藝技術中采用high-k 和金屬柵晶體管將使英 特爾能夠提供速度更快、更節能多內核產品，把 摩爾定律延續到下一個 10 年。