有关计算机组成原理 第4章 主存储器.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 4.6 非易失性半导体存储器（7） 5. 快擦除读写存储器（Flash Memory） F1ash Memory是在EPROM与E2PROM基础上发展起来的，其原理： 控制栅 浮置栅 P型基片 源n+ 漏n+ ＋VPP 4.6 非易失性半导体存储器（8） F1ash Memory的读写原理： … Vd=6V Vg=12V 写入 … Open Vs=12V 擦除 … Vd=1V Vg=1V 读出 4.6 非易失性半导体存储器（9） 各存储器的用途 存储器 应用 SRAM DRAM ROM PROM EPROM E2PROM Flash Memory Cache 计算机主存 固定程序，微程序控制器 用户自编程序，工业控制机或电器 用户编写并可修改程序，产品试制阶段程序 IC卡上存储器 固态盘、IC卡 4.7 DRAM的研制与发展（1） 1. 增强型DRAM（EDRAM） 增强型DRAM（EDRAM）改进了CMOS制造工艺，使晶体管开关加速，其结果使EDRAM的存取时间和周期时间比普通DRAM减少一半，而且在EDRAM芯片中还集成了小容量SRAM cache。 2