电力晶体管电力场效应晶体管.PPT

*/85 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的主要参数 ●跨导Gfs、开启电压UT以及开关过程中的各时间参数。 ●漏极电压UDS ▲标称电力MOSFET电压定额的参数。 ●漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ▲标称电力MOSFET电流定额的参数。 ●栅源电压UGS ▲栅源之间的绝缘层很薄，?UGS?20V将导致绝缘层击穿。 ●极间电容 ▲ CGS、CGD和CDS。 ●漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力 MOSFET的安全工作区。 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制 效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率 大，驱动电路复杂。而电力 MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高， 热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅 双极晶体管（Insulated-gateBipolar Transistor——IGBT或IGT） 综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ IGBT的结构和工作原理 ● IGBT的结构 ▲是三端器件，具有栅极G、集电极C 和发射极E。 ▲由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管 组合而成的IGBT，比VDMOSFET多一层P+ 注入区，实现对漂移区电导率进行调制， 使得IGBT具有很强的通流能力。 ▲简化等效电路表明，IGBT是用GTR与 MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个 由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 图2-23 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 RN为晶体管基区内的调制电阻。 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ IGBT的工作原理 ▲ IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场控器件。 ▲其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。 ＊当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体 管提供基极电流进而使IGBT导通。 ＊当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消 失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。 ▲电导调制效应使得电阻RN减小，这样高耐压的IGBT也具有很小的通 态压降。 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ IGBT的基本特性 ●静态特性 ▲转移特性 ＊描述的是集电极电流 IC与栅射 电压UGE之间的关系。 ＊开启电压UGE(th)是IGBT能实现电 导调制而导通的最低栅射电压，随 温度升高而略有下降。 （a） 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ▲输出特性（伏安特性） ＊描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 ＊分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。 ＊当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。 ＊在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 (b) 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 b) 输出特性 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ●动态特性 ▲开通过程 ＊开通延迟时间td(on) ＊电流上升时间tr ＊电压下降时间tfv ＊开通时间ton= td(on)+tr+ tfv ＊ tfv分为tfv1和tfv2两段。 ▲关断过程 ＊关断延迟时间td(off) ＊电压上升时间trv ＊电流下降时间tfi ＊关断时间toff = td(off) +trv+tfi ＊ tfi分为tfi1和tfi2两段 ▲引入了少子储存现象，因IGBT的开关 速度要低于电力MOSFET。 图2-25 IGBT的开关过程 动画 */85 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ IGBT的主要参数 ●前面提到的各参数外。 ●最大集射极间电压UCES ▲由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。 ●最大集电极电流 ▲包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ●最大集电极功耗PCM ▲在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 */85 2.4