异质结构的应变和应力分布模型研究!-物理学报.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ( $ ##( $ ， ， ， QC )( PC ) $ LH+HGE ##( （ ） ’###8%K#0##(0( #$ 0%5(58#5 L,.L M*NDO,L DOPO,L !##( ,I;2 ) MIFG ) DCB ) 异质结构的应变和应力分布模型研究! 王庆学! （中国科学院上海技术物理研究所，上海 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## ’ ’ ##( % ’# 基于组合杆的平衡条件，分别建立了晶格失配、热失配以及由两者共同导致的异质结构应变和应力分布模型， 并获得了异质结构的晶格失配应变、热失配应变、弯曲应变以及曲率半径的分析解 同时，运用所建的模型，计算 ) 了 异质结构的应变和应力分布 结果表明：应力最大值均在界面处，而中性面仅是材料厚度和弹性 *+,-./0 ,-12./ ) 参数的函数，与晶格失配、晶格弛豫、热失配等参数无关，且该异质结构的曲率半径是衬底厚度的函数，随衬底厚度 的减小而减小，而要保证*+,-./0 ,-12./ 器件在液氮温度下不发生断裂，衬底的厚度必须大于临界值) 关键词：异质结构，应变分布模型，应力分布模型，晶格失配 ： ， !## 3#4 5%#6 对于采用物理方法或化学方法所制备的薄 ’A 引 言 膜0衬底异质结构，其制备过程都是在高温下完成 的，由于薄膜和衬底间存在晶格参数的差异，因而此 目前，薄膜 衬底异质结构已广泛应用于微电 0 类异质结构中必然存在晶格失配应变，从而导致结 ［，］ 子、微机电、光电子和液晶显示等领域’ ) 由于薄 构内存在残余应力) 另外，一般基于此类异质结构 膜与衬底之间的晶格失配或热膨胀系数差异等因 做成的器件，其使用温度却是常温或低温，因此，薄 素，异质结构中无法避免地存在残余应变和应力，这 膜和衬底之间的热膨胀系数差异也会导致热失配应 些应变和应力将对材料质量和器件性能有重要的影 变和应力 由于薄膜 衬底间既存在晶格失配，又存 ) 0 响 尽管高分辨 射线衍射技术等测试手段能够准 在热失配，所以运用单一的晶格失配或热失配应变 ) 确测定异质结构的应变，然而这些测试技术无法直 和应力分布模型将无法准确描述异质结构中的应力 接给出晶格失配或热失配是如何影响异质结构的应