倒装GaN基发光二极管阵列微透镜粗化技术.pdf

导 体 V01．28 第28卷增刊 半 学 报 Supplement JOURNALOF 2007年9月 CHINESE SEMICONDUCTORS Sep．，2007 倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的 粗化技术* 刘志强’ 王良臣 伊晓燕 王立彬 陈 宇 郭德博 马 龙 (中国科学院半导体研究所集成技术中心，北京100083) 摘要：通过模拟计算，分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响．并采用感应耦合等离子 (ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜，实现倒装结构GaN基LED出光面粗化．测试结果表明，相对 于普通倒装结构，阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50％，测试结果与模拟计算值相符合． 关键词：GaN基LED；ICP)阵列微透镜；粗化 PACC：4280L)4225B)7280E 中图分类号：TN312+．8文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)S0-0496-04 粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响；并 1 引言 采用ICP刻蚀技术，于倒装LED蓝宝石表面制作 阵列微透镜，实现倒装结构LED出光面粗化．实验 结果表明，相对于普通倒装结构，蓝宝石面阵列微透 作为新一代环保型固态光源，GaN基LED已 成为人们关注的焦点．与传统光源相比，LED具有 镜粗化技术可使器件提取效率提高约50％，实验结 寿命长、可靠性高、体积小、功耗低、响应速度快、易 果与理论计算值相一致． 于调制和集成等优点．在信息显示、图像处理等领域 得到广泛应用，并有望替代白炽灯、荧光灯，进入普 2 实验 通照明领域．对于高效照明用LED，发光效率是其 最重要的参数．目前，GaN蓝光LED发光效率为几 实验中选用GaN外延片结构如下：蓝宝石衬 底，1．5“m InGaN／GaN多 lm／w，GaN白光LED(蓝光+荧光粉)的发光效率Si掺杂n．GaN，0．05／1m 通常为几十lm／w，因此，如何提高LED发光效率量子阱，0．25“m P．GaN．器件制作工艺主要包括： 成为LED面临的一个主要技术瓶颈uq]． ICP技术刻蚀台面至n．GaN层，电子束蒸发制作n GaN基LED发光效率由发光二极管的内量子 效率和光提取效率决定．随着材料生长技术以及器 700℃，蒸发过程中应注意控制蒸发速率和温度，保 件结构设计的进步，内量子效率已经可以达到80％ 证良好的电极表面及可剥离性；P电极采用Ni／Au 左右．但受GaN材料吸收、电极吸收，以及GaN／空透明电极加Ag高反射电极，空气氛围500℃下合 气界面全反射临界角等因素影响，GaN基LED光金．蓝宝石面微透镜制备工艺主要包括：通过光刻在 提取效率只有百分之几，仍然有很大的提升空间． 蓝宝石表面制备均匀分布的半径为6弘m的光刻胶 表面粗化是一种有效提高LED提取效率的方 圆盘；115℃条件下加热15min，通过光刻胶热阻回 法．其机理是通过对出光面粗化，增加出光面积，减 流形成半球；以半球形光刻胶为掩膜，通过ICP干 少光线在器件内的全反射，使更多的光线以散射光 法刻蚀将图形复制到蓝宝石表面．最后将GaN芯片