特种半导体器件及其应用_1.ppt

特种半导体器件及其应用 特种半导体器件及其应用 电力、敏感、光子、微波器件 第一章 电力半导体器件概述 1.1电力电子学与电力半导体 电力电子学是介于电力、电子、控制三者的边缘学科。 电力半导体器件的发展历史。 1.2电力半导体器件的分类 1.3 电力器件的基本应用 开关电路 整流电路 逆变电路 直流斩波电路与交流调压电路 第二章 特种可控硅 可控硅元件是一种大功率半导体器件，它是用硅半导体材料做成的硅晶体闸流管，因而又称为晶闸管。它的特点是容量大、电压高、损耗小、控制灵便，可用于大功率的电能转换与控制。随着生产的发展，对可控硅的使用提出了一些特殊的要求，另一方面，由于半导体技术对PN结作用的研究不断深入发展，从而在普通可控硅的基础上，又逐步研制出许多不同性能的其他类型的可控硅。这些可控硅在某些特定场合使用有明显的优越性，为了与普通型可控硅有所区别，对其它类型的可控硅常称为特种可控硅。下表中概括了各种类型可控硅的主要内容。随着科学技术和生产的不断发展，具有新性能的其它类型可控硅元件也在研制中．如光控可控硅、热敏可控硅。 2.1 高频可控硅 2.1 高频可控硅 普通可控硅 对开、关时间等瞬态参数没有特殊要求，并主要用于工频的反向阻断型。 快速可控硅 能在400HZ以上频率下工作。 高频可控硅 能在10KHZ或以上频率下工作。 2.1 高频可控硅 一、高频可控硅的理想特性 元件具有两种工作状态，即断态和通态。处于断态的元件均无输出电流；对于任何输出电流，通态下的元件端电压均为零。即元件是无损耗的。 元件导通的条件是同时满足两个条件：必须有正向阳极电压；必须有正向门极电压；否则元件处于断态，它表示元件具有单向导电性质。 对于任意频率的输入端电流，元件具有相同的载流能力；即元件的频带为无限宽。 元件的工作状态的转换是瞬时完成的，即元件是无惯性的。 2.1 高频可控硅 实际性能接近理想特性，但存在的问题 虽然元件具有导通和阻断两个状态，但在断态下存在漏电流，通态下存在饱和压降，即元件是有损耗的。 由于半导体中发生的电流属于传导电流，因而产生和控制这些载流子的运动都需要时间，因此电路工作状态的转换不可能瞬时完成，即电路是有惯性的。 虽然电路具有正向和反向阻断能力，但这种能力是有限的。 电路的开通增益很大，而关断增益很小，以至在大功率条件下失去控制价值。 2.1 高频可控硅 1．可控硅中的损耗与频率的关系 可控硅在工作过程中通常总是从断态即正向阻断状态经过开通过程和扩展过程进入导通状态，即通态；然后转入反向电流恢复时期，即从正向电流过零至反向电流恢复到反向电压所对应的漏电流值所经历的时间，进而过渡到反向阻断状；接着又工作到断态，如此反复地进行下去。可控硅在以上工作过程的每一阶段都有电流通过并且在器件阳、阴极两端出现电压降落，这些电压和电流的乘积就构成了各个阶段的功率损耗，这些阶段功率损耗的总和，再加上门极损耗，就是可控硅在工作中总的功率损耗。 2.1 高频可控硅 按平均功率损耗定义，各部分功率损耗可表示为 式中 f—工作频率； i—通过可控硅的电流瞬时值； u—可控硅阳、阴极两端的电压瞬时值； ts—某一阶段的起始时刻； te—某一阶段的终了时刻； 2.1 高频可控硅 由上式可知，各部分功率损耗都与工作频率有关，随着工作频率的提高，(te-ts)的数值也发生变化，因此可控硅中各部分的损耗也随着频率而发生变化。在可控硅中，主要的损耗有通态损耗、开通损耗、扩展损耗与反向恢复损耗，而正、反向阻断损耗和门极损耗是比较小的可以忽略。表2给出1000V／400A、20μs(关断时间)、3kHz用的快速可控硅在不同频率下工作时各部分损耗占总损耗的百分比。从表中可看出：开通损耗和反向恢复损耗所占总损耗的比例随着频率的增高而加大；而通态损耗占总损耗的比例随着频率增高而减少，当达到某一频率(表中5kHz)时降到零。因此，可控硅在低频工作时，通态损耗占主要部分；当频率增高到某一数值时，开关损耗(开通损耗和反向恢复损耗)和扩展损耗开始占主导地位；进一步增加工作频率，只出现开关损耗和扩展损耗。特别是开通损耗随着频率提高而单调地增加，频率越高，开通损耗越大。大的开通损耗将使平均结温升高，这一开通损耗并不是分散在整个阴极结面上，而是集中在局部的初始导通区内，引起初始导通区的瞬时温升增高，从而导致器件在短期内出现热疲劳损坏，缩短元件的工作寿命，严重时可能立即烧毁。 2.1 高频可控硅 由上看出，随着工作频率的提高，可控硅中的开关损耗和扩展损耗越来越突出，特别是开通损耗随着频率的提高，损耗值越大。为了使可控硅在高频下可靠地工作，必须提高器件的di/dt耐量。 2.1 高频可控硅 不同