电工电子技术(电子技术)——第1讲-2012.pptVIP

二极管的电路符号与基本结构(6) 二极管的电路符号与基本结构(7) 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 二极管的伏安特性 试验电路如图： 二极管的伏安特性(1) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(2) D iD uD 二极管的伏安特性曲线：死区：对应于二极管开始导通时的外加电压称为 “死区电压”。锗管约为0.2V, 硅管约0.5V。 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(3) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 正向导通：呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；正向导通电压基本不变，硅管约为0.7V左右，锗管约为0.3V左右； 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(4) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 反向截止：呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，称为反向饱和电流或漏电流。该电流受温度影响很大。 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(5) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 反向击穿：外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，二极管失去单向导电性，对应的电压称为击穿电压。 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的主要参数 最大整流电流ICM 最高反向电压