固态成像器件原理及应用第六讲-CMOS图像传感器原理及性能课件.ppt

固态成像器件原理及应用第六讲－CMOS图像传感器原理及参数 长春理工大学 刘智 2008年11月28日 主要内容 上节课习题讲解 一、上一讲内容回顾 二、本讲主要内容 三、小结 四、作业 上一讲习题解答 立体角Ω，是一个物体对特定点的三维空间的角度。它是站在那一点的观察者测量物体大小的尺度。例如，一个附近的小物体可以与一个远处的大物体对于一个点有相同的立体角。立体角是物体在一个以观测点为圆心的球的投影面积与球半径的比。 （Ω =S/r）这正像平面角是圆的弧长与半径的比。 立体角的国际制单位是steradian(球面度)。 更严密的，立体角是面S对点P的面积分： 一、上一讲内容回顾 二、本讲主要内容 MOS与CMOS场效应晶体管 CMOS图像传感器的原理与结构 典型的CMOS图像传感器 OV7620 IBIS5－1300－M CMOS图像传感器原理 CMOS图像传感器概念 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor。 是一种用传统的集成电路工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路集成在一块硅片上的图像传感器件。 复位操作和积分操作 电荷收集过程 无源像元(Passive Pixel) 有源像元（Active Pixel） CMOS像元结构示意图 光电栅型像元（Photogate Pixel） 光电栅型APS CMOS像素单元框图如右图所示。像素单元包括光电栅PG（Photogate）、浮置扩输出FD(Flcating Diffusion)、传输电栅TX(Transfer Gate)、复位晶体管MR(Reset Transistor)、作为源极跟随器的输入晶体管MIN、以及行晶体管MX，实际上，每个像元内部就是一个小小的表面沟道CCD。 每列单元共用一个读出电路，它包括第一源极跟随器的负载晶体管MLN以及两个用于存储信号电平和复位电平的双采样和保持电路。这种对复位和信号电平同时采样的相关双采样电路CDS能抑制来自像元浮置节点的复位噪声。 CMOS图像传感器的一般结构 组成原理框图 CMOS图像传感器发展过程 1963年– Morrison 发表了可计算传感器，这是一种可以利用光导效应测定光斑位置的结构，成为CMOS图像传感器发展的开端。 1964年– IBM的Horton et. al发表了scanistor，这是一种通过电阻网络寻址的一维光电二极管阵列扫描器，这种扫描器产生与入射光能量成线性比例关系的输出脉冲电压。 1966年–西屋公司的Schuster和Strull报道了像元分辨率为50×50的单片光敏晶体管成像阵列器件：MOS阵列集成电路（MOSAICS，Mos Oxide Semiconductor Array Integrated Circuits）。这种光电晶体管都能产生与入射光强成比例的信号，其输出与瞬时入射光能量成正比关系，不进行任何积分操作，因此其灵敏度相对较低。由于技术水平的限制，这种结构需要外部电路才能实现扫描读出操作。 CMOS图像传感器发展过程 1967年–仙童公司的RUDOLPH H. DYCK和GENE P. WECKLER提出了一种新的固态光电传感器工作模式：基于光电二极管的光子通量积分工作模式。光电二极管首先被反向偏置，然后转为开路状态，入射光子产生的光电流将使PN结电容上进行积分；积分结束时，对积分电容上的电压进行采样，该采样值与复位状态下的采样值之差即与入射光强度成正比。 1968年–英国的PETER J.W. NOBLE提出了“自扫描硅图像探测器阵列结构”的概念，描述了表面光敏二极管和埋沟道光敏二极管的结构，讨论了用于读出信号的电荷积分放大器。对基本的金属氧化物半导体阵列集成电路技术进行了改进，使之工作在积分模式下，这是第一个有源像素设计方案，使用了MOS源级跟随器作为像元信号读出缓冲器。根据此技术制作的10×10自扫描阵列最大帧频为500帧/秒，像元大小为100μm×100μm。 1970年–世界上第一块CCD图像传感器在贝尔实验室诞生。 CMOS图像传感系统结构 CMOS图像传感器的缺点 噪声特性差 由于CMOS图像传感器在像元中引入复位、行选通、放大器晶体管，其噪声特性比CCD要差。 主要表现在暗电流、固定模式噪声和读出噪声等几方面。 现有的CMOS图像传感器噪声水平 暗电流：100pA/cm2～2000pA/cm2 固定模式噪声一般0.5%（均方根值，RMS） 读出噪声：30～100个电子 高端CCD的噪声水平 暗电流：20pA/cm2 读出噪声：1～10个电子 CMOS与CCD器件性能对比 CMOS图像传感器的特殊之处 填充率（Low Fill Fac