大连理工传感器原理及应用-第8章-课件.ppt

* * * * * * * * * * * * * * MOS光敏元电极分成三组，在其上面分别施加三个相位不同的控制电压Φ1、Φ2、Φ3。 当t=t0时，Φ1相处于高电平，Φ2、Φ3相处于低电平，在电极P1下面出现势阱，存储了电荷。 在t=t1时，Φ2相也处于高电平， 电极P2下面出现势阱。 由于相邻电极之间的间隙很小，电极P1、P2下面的势阱互相耦合，使电极P1下的电荷向电极P2下面势阱转移。 随着Φ1电压下降，电极P1下的势阱相应变浅。 在t=t2时，Φ2处于高电平，信号电荷全部转移到电极P2下面的势阱内。 在t=t3时， Φ3相处于高电平，Φ1、Φ2相处于低电平，信号电荷全部转移到电极P3下面的势阱内。 随着控制脉冲的变化，信号电荷便从CCD的一端转移到终端， 实现了电荷的耦合与转移。 * * * * 转移控制栅控制光电荷向移位寄存器转移，一般使信号转移时间远小于光积分时间。在光积分周期里，各个光敏元中所积累的光电荷与该光敏元上所接收的光照强度和光积分时间成正比， 光电荷存储于光敏单元的势阱中。当转移控制栅开启时，各光敏单元收集的信号电荷并行地转移到CCD移位寄存器的相应单元。 当转移控制栅关闭时，MOS光敏元阵列又开始下一行的光电荷积累。同时，在移位寄存器上施加时钟脉冲，将已转移到CCD移位寄存器内的上一行的信号电荷由移位寄存器串行输出，如此重复上述过程。 * * *