基于iGMR原理角度传感器TLE5012B应用指南研究.pdfVIP

蒸黧鬻嚣麓豢繁缀i黎繁熬羲麟豢羹鬃 1 基于iGMR原理角度传感器TLE50 2B应用指南 英飞凌科技(中国)有限公司何喜富 自旋，电子的散射率取决于自旋方向和磁性材料的磁化方 1 TLE5012B简介 向。若自旋方向和磁性材料磁化方向相同，则电子散射率 TLE5012B角度传感器基于iGMR技术，可检测平行低，穿过磁性层的电子较多，从而呈现低阻抗。反之，若自 于封装表面磁场的360。变化，应用于汽车和工业领域转角 旋方向和磁性材料磁化方向相反，则电子散射率高，穿过 位置检测，如方向盘转角、电机位置等。 磁性层的电子较少，从而呈现高阻抗。 TU舅012B内部集成角度计算模块，可以将原始值(sine 1．2 iGMR角度检测原理 和cosine)进行数字处理后输出绝对角度，其内部集成自动标 图2所示为巨磁阻角度传感器感应单元结构，由两组 定和温度补偿功能，在温度范围和寿命周期里可以达到1。精 惠斯通电桥构成，分别为反映外界磁场余弦变化的V。巨 度，符合汽车级认证，可工作在一40～150℃范围。 磁阻感应单元和反映外界磁场正弦变化的V。巨磁阻感应 bit)以及 TLE5012B具备极其精确的角度分辨率(15 单元。V。和V。巨磁阻感应单元结构类似，只是参考层磁 快速的信号处理能力和较短的延时／更新率，适合精确测 化方向不同。使用全桥结构的好处是，可以获得两倍信号 定高动态应用中的转子位置，同时TLE5012B具有先进的 幅值以及消除温度效应影响。 诊断功能及安全特性，确保了产品的高可靠性。 1．1 iGMR原理 所谓磁阻效应是指导体或半导体在磁场作用下其电 阻值发生变化的现象，巨磁阻效应在1988年由彼得·格 林贝格(PeterGrnnberg)和艾尔伯·费尔(AlbertFert)分 别独立发现，他们因此共同获得2007年诺贝尔物理学奖。 研究发现，在磁性多层膜如Fe／Cr和Co／Cu中，铁磁性层 被纳米级厚度的非磁性材料分隔开来。在特定条件下，电 阻率减小的幅度相当大，比通常磁性金属与合金材料的磁 电阻值高10余倍，这一现象称为“巨磁阻效应”。 如图1所示，基于巨磁 阻效应的传感器其感应材 料主要有3层：参考层 (RL)、普通层(NML)和自 图2 巨磁阻惠斯通桥 由层(FL)。参考层具有固 当安装在转轴上的磁铁随着转轴旋转时，巨磁阻感应 定磁化方向，其方向不会受 单元V。和V。能够检测出平行于其表面的外界磁场变化， 到外界磁场方向影响；普通 并分别输出余弦和正弦信号。磁场信号经过A／D转换， 层为非磁性材料薄膜层，将 Rotation 通过传感器内部CORDIC(C00rdinateDIgital 两层磁性材料薄