锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究.pdfVIP

锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究 吴闽，黄钊洪 华南师范大学信息光电子学院光子信息技术重点实验室，广东广州510006 摘要：本文介绍了锑化铟磁阻犁光电传感器的结构及T作原理，并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性 9Hz，经计算，可得其品质因数Q为5．56，若按可调式高品质有源滤波放大电路设计理论获得的计算值， 误差。 关键词：锑化铟；磁阻；红外光电传感器；特性 InSb IR-PhotoelectricSensorandIt’S Magnetoresistance Research Wu Zhao min，HuangHong ofPhotonicInformation China Laboratory Technology，SCNU，Guangzhou Abstract：Theintroducethe and oftheInSb IR-Photoelectric paper configurationtheory magnetoresistancesensor， and the characteristicofthesensorThe ofthe sensoris50 studyoutput center行equencyphotoelectric Hz,the transmissionbandsofthesensoris transmissionbandsis tothe center 46HZ-55HZ，SO theory，the 9Hz，according shouldbe transmissionbandshouldbe therearesomeerrorsbetweenthe frequency 50Hz，the 6．24Hz，SO theory valueandthe experiment． Key Sensor；Characteristic word：InSb；Magnetoresistance；IR—Photoelectric 1．引言 ． 光敏传感器是把光信号转换为电信号的一种传感器，迄今为止，光电器件在许多工业部门和口常生活 的各个领域内都得到了应用，我们己经研究设计的锑化铟磁阻型红外光电传感器中，利用霍尔效应、磁阻 效应和光电导效应制成的这种磁阻型光电传感器除了具有一般光电传感器所具有的特点外，还具有灵敏度 高，光谱范围宽，所用元件少，结构不太复杂，易于制造等优点。 2．锑化铟磁阻型红外光电传感器的结构与工作原理111 如图l所示为锑化铟磁阻型传感器光电传感部分的结构图，锑化铟磁阻型红外光电传感器主要由锑化 片、灌封的环氧树脂外加屏蔽的金属外壳等部分组成，永磁体提供的磁感应强度约为O．2T，LED发出的光 线与永磁体的磁力线在空问是平行的。 锑化铟薄膜材料未受光照时，处于热平衡状态，而在受到光的照射时，光吸收产生了非平衡载流子。 资助项目；广东省“十五”重大专项基会资助项目(2002A1060204)。 103 非平衡载流子浓度的增大使得半导体的电导率增大。这种由光照引起的半导体电导率增加的现象称为光电 导。由于磁阻效应，锑化铟材料中的非平衡载流子在磁场作用下，运动路径增长，使得半导体电导率改变 量增加，也即是半导体的电阻改变量增加。由欧姆定律知：两个磁阻元件连接点处的输出