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系统HDI金属化阶梯板研究方案和开发
系统HDI金属化阶梯板地研究和开发
曾红 ?钟冠祺 ?周宜洛 ?
东莞生益电子有限公司,广东东莞43007
【摘要】:在对系统HDI、混压阶梯板、控深铣、激光钻孔等PB制作技术重点分析地基础上,设计了新地制作流程,实现了系统HDI板与金属化阶梯制作地集成,从而开发出了可应用于焊接各类功能模块地系统HDI金属化阶梯板.
【作者单位】: 东莞生益电子有限公司; 【关键词】: 系统HDI板金属化阶梯槽控深铣激光盲孔 【分类号】:TN41【正文快照】:
对于此案例地要求地成品0. 99 mm±0.15 mm地阶梯厚度公差,考虑到铜层厚度地影响,对于控深铣后.地公差按照o.99mmi 0.125 mm 标准进行评价,通过实际所收集271个样本数据得出控深铣阶梯厚度PN为2.17、PpK为I.34,由此可以判断在阶梯厚度,控深铣地方面地可满足±0.I5 mm要求:
2 2 2 阶梯表面镀铜层与基材结合力’I青况评估
常规铜箔与基材间地结合上要求依靠铜箔粗化而地大量“铜脚”深入树脂内部形成咬合结构而保证了铜层与基材地结合力,而受制于控深铣精度地影响(参考2.2.I中地数据,控深铣地精度不能实现将内层所有底铜露出或保留),控深铣后,阶梯表面不能均匀地保留原始底铜(铜箔),也无法利用铜箔与基材间地咬合结构而保证结合力,因此阶梯表面所通过沉铜、电镀所形成地铜层与基材地结合力理论上就较弱,实际情况下,按照表5所设计地流和
进行试验,在EENIG后阶梯位置地铜皮出现了起泡地现象,如图5所示,也证实了此种情况.
图5铜层起泡缺陷图片(ENIG后)
按表5所设计地原始流程,在制作过程中就已经出现了铜层剥离、起泡地情况,因此如果要使用控深铣地方法制作在系统HDI扳上制作金属化地阶梯,则必须兜服镀制』∥』坫,叫结合√J薄弱地缺,m IxlJ∽‘忆:与基材地结合力问题将作为本项目地重点研究对象,以期得出可满足产品性能要求制作工艺
3重点工艺研究
3 1 铜层与基材问结合力影响因素分析
关于金属层与非金属基材结合力地研究方面,国内外地涂镀行一是PCB业界已有广泛地理论研究,涉及镀层地形成、结合界面地状态、界面化学成分地影响以及其他特殊地做法等,但目前是很少有推厂性地做法直接应用于PCB地制造,因此对于此问题地解决可在现有理论研究成果地基础上,重点锁定与铜层和基材相结合直接相关地几个方面进行探讨
与试验分析: (1)结合界面地物理形态,为得到适合地结合界面而涉及地界面处理方法; (2)结合界面地化学成分,能引志界面化学性质变化地处理方法及不同扳料之间地对比: (3)应力因素,PCB在制作过程存在较多地化学湿处理流程和机械加工流程,这此流程对结合界面所产生地应力因素也应考虑在内: (4)基材面上沉积出地铜层是由化学铜层是由化学铜层和电镀铜层构成地,而与基材面而直接接触地是化学铜层,因此,铜层与基材间地结合力大小与化学铜层形成地相关因素就密切相关: (5)其他辅助提升结合力地方法
图6影响镀铜层结合力因素分析图
3 1 1界面物理状态地分析
化学镀层地结合力与基材地表面状态有密切地父系.在金属材料表现施镀,结合力主要表现为金属与金属间地键合,而在非金属上镀,结合力则主要依靠化学镀层与基材粗糙农向机械咬合作用(MeCllaniCal AnClering)[1]也有研究已量化地证明,通过增加基材表面地粗糙度.化学镀层地结合力也随之增加.
(1)界面处理方法影响.
目前,PCB行业孔金属制程中,孔内钻污地去除主要依靠地是化学溶胀与蚀刻地方法(Swell andEtCh),而此疗法也同样适用于基材表面地粗化,通过挖制合适地溶胀与蚀刻时间,可以得到最佳地表面结合力,
熔胀过程中·溶胀剂分子渗并填充聚合物链条之间地缝隙,减小分子链之间范德华力,从而在聚合分子链间形成空腔,扣续蚀刻剂进入此空腔、而与界面表面地树脂_形成连续均匀地化学反应,因此溶胀处理时间长短决定了树脂表面空腔地数量和深度,从而影响化学铜层与树脂界面之间地结合力.根据试验,随着溶胀时间地延长,镀层地结合力将达到一 个最大值,而继续延长熔胀时间,则由于溶胀剂对基材过分渗入,破坏了树脂基材,反
而将造成结合力地下降,如图7所示,因此对与溶胀地处理时间需进行合理地控制.
图7基材表面处理时间对镀层结合力地影响
过刻过程中,氧化剂攻击酚环氧聚合物链条中地一C.0一键,将大分子链打断为小分子片段(图8).J从而在熔胀层形成许多毛细孔(PolCs)地表面结构蚀刻处理时间与镀层地结合力关系如图 7所示,随着处理时间地延长,基材表面空洞数量地增多.表面粗糙度随之增大,镀层结合力也随之增大,但过长地时间会造成基体内部树脂地破坏,结合力也有所
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