ICP刻蚀参数对SO1脊形波导侧壁粗糙度的影响-中国科技论文在线.PDF

中国科技论文在线 第 25卷第 11期 半 导 体 学 报 VO1．25．NO．11 2004年 11月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS NOV．，2004 ICP刻蚀参数对SO1脊形波导侧壁粗糙度的影响* 樊中朝 余金中 陈少武 杨 笛 严清峰 王良臣 (中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083) 摘要：研究了以CF。／SF ／0 为刻蚀气体，利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中，刻蚀参数与侧壁粗糙度 的关系．实验结果表明偏压、气体 比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ，在低偏压、低CF8／SF6比和较高压强 下更容易获得低粗糙度的侧壁．通过优化刻蚀参数 ，获得 了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导． 关键词：SOI；ICP；粗糙度；脊形光波导 EEACC ：4130；2550 中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2004)1I-1500—05 参数与侧壁粗糙度的关系，并通过优化刻蚀参数，获 1 引言 得相对光滑的侧壁，以降低光传输损耗，对于提高光 波导器件性能具有重要的现实意义． 利用 SOI材料制作波导器件，具有波导特性 我们充分利用 ICP刻蚀技术具有工作压强范 好、器件结构紧凑、制作工艺与 IC工艺兼容便于光 围广、离子密度和轰击离子的能量可以单独控制、工 电子集成、能作三维器件以及可大规模集成等优点， 作窗口宽等优点，以CF／SFJO：的混合气体为刻 已经被广泛应用于制作MMI耦合器_1j、SOI热光 ／ 蚀气体，研究了在掩膜边缘粗糙度一定的情况下， 电光开关~2,33等器件．SOI脊形光波导是SOI脊形光 ICP刻蚀参数与光波导侧壁粗糙程度的关系．实验 波导器件的基础，也是实现 SOI光 电子集成的基 结果表明，在保证侧壁陡直度的条件下，采用低偏 础．利用干法刻蚀制作的SOI脊形光波导，其上下 压、低CF ／SF气体比和高压强的刻蚀条件，可以 界面光滑度很高，光损耗主要来 自粗糙的侧壁引起 降低侧壁的粗糙度．在此基础上，我们采用截断法测 的界面散射损耗 ]．侧壁的粗糙程度可以等效为波 量 比较了不同侧壁粗糙程度下的SOI脊形单模光 导宽度的变化，如果粗糙程度较大，除了会导致界面 波导的传输损耗，验证了通过调节刻蚀参数可以降 散射，在单模波导中，还有可能使得波导在一些部位 低侧壁粗糙度进而降低波导的传输损耗． 偏离单模条件，成为多模波导，导致传输中多模的激 发和泄漏，增加损耗．在器件设计过程中一般会把界 2 实验 面假设为理想光滑的情况 ，侧壁粗糙程度大，必然会 造成器件的光学性能整体劣化．波导侧壁的粗糙度 所用刻蚀设备为中国科学院微电子研究所生产 主要依赖于掩膜边缘的粗糙度和刻蚀的工艺参数． 的ICP98一A型电感耦合等离子体刻蚀机，射频和电 以前相关的实验工作多集中在如何减小掩膜边缘粗 感耦合电源的频率为 13．56MHz，射频功率范围为0 糙度以得到光滑的侧壁，但由于掩膜版或者光刻设 ～ 500W ，源功率范围为 0～2000W ，系统极限真空 备的原因，很容易在掩膜边缘引入一定的粗糙度，所 度为 3×10-3Pa．被刻蚀样片与电感耦合线圈之间 以研究在掩膜边缘具有一定的粗糙度情况下，刻蚀 的距离为 9cm．所用 SoI片顶层为厚 5m 的(1O0) * 国家 自然科学基金 (批 准号