MagicARM试验箱电路布局如下图所示-Read.DOC

1、MagicARM2200试验箱电路布局如下图所示： 图1.1 MagicARM2200试验箱的电路布局图 2、DeviceARM2200嵌入式工控板硬件资源 MagicARM2200试验箱的硬件主要由DeviceARM2200嵌入式工控板（即核心板）、试验箱主板、电源板和各种PACK板组成。 DeviceARM2200嵌入式工控板是一块独立的系统核心板，采用6层板精心设计，SO-DIMM144接口，其标准配置如下： ARM7微控制器LPC2290，系统时钟可达60MHz； 2M字节NOR FLASH(可用于存放BootLoader)； 8M字节RAM； 16M字节NAND FLASH; 256字节E2PROM（I2C总线接口）； 16位总线输出（经过驱动器），用户板上可扩展16M byte *1(LPC2200的Bank2存储块)和4M byte*4(LPC2200的Bank3存储块译码)地址空间的存储器或外部总线设备。 DeviceARM2200嵌入式工控板使用11.0592MHz晶振；具有电源监控芯片（即复位芯片），带手动复位输入引脚；该工控板只需要3.3V电源供电，工控板内使用LDO芯片产生LPC2200所需要的1.8V内核电压。 3、DeviceARM2200嵌入式工控板电路分析 （1）LPC2200系统电路 （2）系统电源电路 （3）复位电路 （4）系统时钟电路 LPC2000系列ARM7微控制器可使用外部晶振或外部时钟源，内部PLL电路可调整系统时钟，使系统运行速度更快（CPU最大操作时钟为60MHZ）。倘若不使用片内PLL功能及ISP下载功能，则外部晶振频率范围是1MHZ～30MHZ，外部时钟频率范围是1MHZ～50MHZ；若使用了片内PLL功能或ISP下载功能，则外部晶振频率范围是10MHZ～25MHZ，外部时钟频率范围是10MHZ～25MHZ。 DeviceARM2200嵌入式工控板使用了外部11.0592MHZ晶振，原因是使串口波特率更精确，同时能够支持LPC2200微控制器芯片内部PLL功能及ISP功能。 （5）系统存储器电路 DeviceARM2200嵌入式工控板上扩展了2MB NOR FLASH(芯片型号为SST39VF160)、8MB PSRAM(芯片型号为MT45W4MW16)，SST39VF160的片选信号为F_nCS0，此信号是由LPC2200的CS0和A23、A22进行译码得到的，其访问地址为：00X801FFFFF，即LPC220的BANK0存储块空间。当最终代码固化到FLASH时，系统启动后即可运行FLASH中的程序，因为LPC2200的BANK0可以用来引导程序运行。MT45W4MW16的片选信号为nCS1,即LPC2200的CS1引脚信号，所以MT45W4MW16的访问地址为00X817FFFFF。 补充： 补充一个外部存储器控制器的bank控制情况： bank 地址范围 配置寄存器 080FFFFFF BCFG0 181FFFFFF BCFG1 282FFFFFF BCFG2 383FFFFFF BCFG3 Bank0~Bank3的片选信号分别由CS0~CS3控制，如果片外存储器或者I/O器件是通过CS0进行片选，或者由CS0与地址线进行译码来片选，则此片外存储器或者I/O器件属于Bank0组，地址就在00x80FFFFFF范围内。 比如我们的NOR FLASH就是通过CS0与地址线A23\A22译码得到的，所以就是在Bank0了，但是究竟它的起始地址怎么计算呢？由于这样选择的基地址就是在0，而我们的这个存储器大小是2M，所以就容易知道访问的地址最大为0x801FFFFF了。 同时还要注意NAND FLASH的那三个操作地址是怎么求出来的？一个是命令输入地址，一个是地址输入地址，一个是数据输入地址。因为这个东西使用的也是CS0与A22,A23译码得到的，所以它也属于Bank0范围内！只要注意这个时候我们的A22,A23是高电平就可以算的出来了，但还要注意存储器芯片上的那CLE#,ALE#分别连接到的是A20,A19，在看看是什么电平使能这两个引脚！！！所以计算出来就是： 数据操作—0X80C00000 地址输入—0X80C80000 命令输入—0X80D00000 （补充完） 由于SST39VF160和 MT45W4MW16都是16位总线接口，所以使用LPC2200的地址总线A1~A23与它们相连（使用16位总线时，LPC2200的A0引脚没有使用）。为了能够对MT45W4MW16的字单元进行单