低Al组分InAlSb薄膜的MBE生长和优化-激光与红外.PDF

第４４卷　 第１０期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ４４，Ｎｏ１０ 　 ２０１４年１０月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｏｃｔｏｂｅｒ，２０１４ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１４）１０１１１５０４ ·红外材料与器件 · 低 Ａｌ组分 Ｉｎ ＡｌＳｂ薄膜的ＭＢＥ生长和优化 １－ｘ ｘ 尚林涛，刘　铭，邢伟荣，周　朋，沈宝玉 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：采用分子束外延的方法进行了低Ａｌ组分Ｉｎ ＡｌＳｂ薄膜的生长和优化。通过在 １－ｘ ｘ ＩｎＳｂ（１００）衬底上外延生长一系列不同条件的Ｉｎ ＡｌＳｂ薄膜，分析总结了衬底的热脱氧 １－ｘ ｘ 特征以及ＩｎＡｌＳｂ薄膜低Ａｌ组分（２％左右）的控制，探讨了退火和ＩｎＳｂ缓冲层的优化等参 数对Ｉｎ ＡｌＳｂ外延薄膜表面形貌和质量的影响。测试结果表明薄膜质量得到极大改进。 １－ｘ ｘ 关键词：ＩｎＳｂ（１００）；铝；ＩｎＡｌＳｂ；薄膜生长；优化 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０３９６９／ｊｉｓｓｎ１００１５０７８．２０１４．１０．０１０ ＭＢＥｇｒｏｗｔｈａｎｄｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆｌｏｗＡｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔＩｎ ＡｌＳｂｆｉｌｍ １－ｘ ｘ ＳＨＡＮＧＬｉｎｔａｏ，ＬＩＵＭｉｎｇ，ＸＩＮＧＷｅｉｒｏｎｇ，ＺＨＯＵＰｅｎｇ，ＳＨＥＮＢａｏｙｕ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＬｏｗａｌｕｍｉｎｉｕｍＩｎ ＡｌＳｂｆｉｌｍｉｓｇｒｏｗｔｈａｎｄｏｐｔｉｍｉｚｅｄｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｉａｌｍｅｔｈｏｄＡｆｔｅｒａｓｅｒｉｅｓ １－ｘ ｘ ｏｆＩｎ ＡｌＳｂｆｉｌｍｓｗｅｒｅｇｒｏｗｎｏｎＩｎＳｂ（１００）ｓｕｂｓｔｒａｔｅｕｎｄｅｒｄｉｆｆｅｒｅｎｔｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ，ｔｈｅｔｈｅｒｍａｌｄｅｏｘｉｄａｔｉｏｎｃｈａｒａｃｔｅｒ １－ｘ ｘ ｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅａｎｄｔｈｅｌｏｗａｌｕｍｉｎｉｕｍｃｏｍｐｏｎｅｎｔｃｏｎｔｒｏｌ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅ２％）ｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄ，ａｎｄｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆ ｐｒｏｃｅｓｓｐａｒａｍｅｔｅｒｓｓｕｃｈａｓａｎｎｅａｌｉｎｇａｎｄＩｎＳｂｂｕｆｆｅｒｌａｙｅｒｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｅｔｃｏｎｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄｑｕａｌｉｔｙｏｆｔｈｅｆｉｌｍｗａｓ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄＴｈｅｔｅｓｔｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈｅｑｕａｌｉｔｙｏｆｔｈｅｆｉｌｍｈａｓａｇｒｅａｔｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩｎＳｂ（１００）；Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＩｎＡｌＳｂ；ｆｉｌｍｇｒｏｗｔｈ；ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ １　引　言 ＭＯＣＶＤ）等方法进行。ＭＢＥ方法具有精确的单原 ＩｎＳｂ基材料由于其高电子迁移率和低有效质 子层控制生长能力以及原位的实时在线监测工 ［１］ 量在高速和光电器件应用中很有技术意义 。Ｓｂ