SiO2PVA杂化体系的电子密度波动及微结构.pdfVIP

Si02-PVA杂化体系的电子密度波动及微结构 徐耀’范文浩吴东孙予罕 (中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室，山西，太原，030001) 到目前为止，SAXS已被用于研究异相体系的若干个方面，比如界面层厚度【1枷，颗粒大小分布 【41(或孔径分布‘51)，分形特征【“101等等。但关于电子密度波动方面，无论研究的数量还是研究的深 度都远远不足，只有少数几个基本理论【1，¨一31和一些实验报道可以利用，然而即使在这些文献中，要 找到一个理论分析和实验结果之间的普遍而有效联系也很困难，事实上，现有的理论不能给电子密 度波动的计算提供一个赢接和简单的工具。尽管有些作者提出了一些简单的方法【15,16】从实验数据中 提取电子密度波动的信息，但这些方法从理论推导上严重不足。电子密度波动来源于一些纳米尺度 的精细结构变化，比如，组成不均匀性、热变化、超临界状态、无定型固体骨架中的微孔、晶体缺 陷等等。在聚合物．无机杂化材料中，电子密度波动是一个普遍的现象，但是还没有得到足够的研究 方法，由此可以定量地得到电子密度波动的维数和幅度。 一．理论推导 1．SAXS方法分析 关于各向同性两相体系的SAXS基本理论出发点在丁．，散射强度正比于电子密度p(r