DyScO3基体上生长的SrTiO3薄膜的X射线衍射研究.pdfVIP

i DySc03基体上生长的SrT03薄膜的X射线衍射研究 ，翟章印，李旭智，吴小山 南京大学固体微结构国家实验室，南京，210093 郝建华，高炬 香港大学物理系，香港，中国 利用脉冲激光沉积技术在DySe03(DS0)衬底上异质外延生长了SrTi03(STo)薄膜。 采用原位x射线衍射方法在20一300K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数：讨论 了应变与薄膜和衬底之间的晶格失配关系。晶格参数在80K的异常变化可能预示着 结构相变的存在。高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错：剪切位错和 螺旋位错。结果显示总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多。我们认为螺旋 位错是样品生长过程中的主要缺陷：剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加。 这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式。 钛酸锶是一种原型铁电体或者量子顺电体材料，具有典型的钙钛矿结构。单晶钛酸锶即 使温度降到接近OK仍然保持顺电性。在105K附近发生二级反铁电无序相变，同时对称性 ， 着长轴发生旋转引起的，相邻的两个Ti06八面体旋转方向相反。软模理论很好地解决了这 种相变的机N[3，41，在STO薄膜中软模的硬化也在最近的实验中被观测到【5，61。 钛酸锶也是研究具有钙钛矿结构薄膜的相变【7，8】、表面和界面结构【9，lo]的一种最好 的模型材料。虽然铁电特性的存在只是通过氧同位素替换【8，ll】和阳离子替代的方法[12， 13】被报道过，但最近理论和实验证明铁电性可以存在处于应变状态的STO薄膜中【14-16]。 应变在影响薄膜的物理性质中扮演了很重要的角色，例如铁电【17，18】和超导[19，20]薄膜。 它主要是由于薄膜和衬底之间的品格失配和热膨胀系数的不同引起的。Feizhou He[21，22] 等人对处于应变状态的STO薄膜的结构相变进行了系统的研究。Devonshire【161预言了处于 上制备了具有室温铁电性的STO薄膜。本文研究了在DSO衬底上外延生长的STO薄膜的 低温热膨胀系数、衬底和薄膜之间的晶格欠配与戍变的关系。讨论了薄膜中两种位错的密度 ．408． 分布与薄膜的生长模式之间的关系。 单晶STO靶用于生长STo薄膜；(110)取向的单晶DSO薄片用来做衬底，衬底样品 Advanced 测定，厚度为200纳米。室温和低温x射线衍射分别在RigakuDmax—rB和Bruker D8x射线衍射仪上完成。高分辨X射线衍射使用了SiemensD5000HR，用于分析薄膜中的两 种位错分布。为了探测薄膜中的两种位错随深度的分布，采用了掠入射X射线衍射技术，仪 器型号为BedeD1衍射仪。 ， 室温下STO具有立方结构，晶格参数a=3．905A，DSO具有正交结构，晶格参数为 长的要求。图一是在DSO衬底上生长的STO薄膜的室温X射线衍射谱图。只有薄膜的(001)， 面摇摆曲线的峰半高全宽(F删)约140秒，表明STO薄膜是外延生长的。图二是薄膜及衬 底(以赝立方指标化)(103)面的①扫描图谱，证明了薄膜外延生长的特征。薄膜和衬底 都有严格的四次对称性，而且对应的峰的位置也一致。做扫描时所对应的0和20分别为 ST0：0=20．1190，2 0=76．4150， 0=77．2760；DSO：0=19．5000，2而理论计算值分别为 STO：0=20．1570，20=77．1850；DSO；0=19．7290，20=76．3290，两者能很好吻合。 薄膜的C轴品格参数随温度的变化关系如图3所示。c轴品格参数的皆是从薄膜的(002) 算得出的晶格参数随着温度的变化关系。赝立方LAO的晶格参数a=3．789A，与STO的品格 失配度为-3％，使薄膜生长过程中处于压应变状态，而DSO由于其