原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响-发光学报
21 1 Vol.21, No. 1
2000 3 CHINESE JOURNA OF UMINESCENCE Mar. , 2000
温度对 衬底上低压 外延生长
Si MOCVD
ZnS 薄膜质量的影响
赵晓薇, 张吉英, 杨宝均, 范希武, 羊 亿, 申德振
( , , 130021)
: MOCVD ( 111) Si , (/ ) 300400
ZnS , ZnS , 300
( 111) ZnS
: ZnS ; Si ; M OCVD
: O484. 1: A: 1000-7032(2000) 01-0006-05
[ 1, 8]
, GaAs,
1 引 言
GaAs
Si MOCVD ( 111) Si
, , , /
( 300400 ) ZnS ,
, X-ZnS
, Si
[ 15]
2 实 验
-ZnSZnSe
, - , 1 /
( EDS) MOCVD MO
( D) , Si ,
- ,
, ZnS , ,
Si , 0.4%
Si ZnS , ,
0. 110104 Pa
2
Si ZnS 2020mm ,
[ 4]
Wirthl ( MBE) , 1
Si ZnS , ( DMZn)
[ 6]
; Yokogawa ( H2S)
( - ) ,
P MOCVD Si
ZnS ZnS-ZnSe
[ 7]
, ; ee
Si
ZnS ,
Si - 1MOCVD
GaAs , Fig. 1Schematic drawing of P-MOCVD apparatus.
: 1999-02-09; : 2000-01-12
: ( , ,
: ( 1974- ) , , , , -
文档评论（0）