三负阻器件.ppt

三负阻器件 目录 一、简介 发展历史：负阻器件从1952年埃伯斯提出→1956年 摩尔等研制出晶闸管→1958年江崎等发 现二极管→现在，已经经历了几十年。 三端电压控制型负阻器件：由一主器件通过一定的物理机制或一个反馈器件来产生负阻特性。通过改变主器件与反馈器件的种类和联接方式,实现不同形式的组合,目前已研制出多种不同结构的三端电压控制型负阻器件。 分类： 从引出端的数目：两端；三端 从输出特性：电压控制型；电流控制型 从负阻器件结构：单管型；复合型（集成型） 从应用领域：微波负阻器件； 功率负阻器件 一 简介——分类 目前对三端电压控制型负阻器件有两种分类方法: 一是以产生负阻特性的主器件结构分类（如图3）： 1、以双极管为主器件的三端电压控制型负阻器件 2、以Mos为主器件的三端负阻器件 二是按照负阻产生的机制来分类（如图4）： 1、利用分流原理产生负阻 2、主器件输出电压直接减小基极电流(或栅压)两大类， 一 简介——分类 一 简介——分类 一 简介——分类 一、简介 与常规的两端电压控制型负阻器件相比,其特点是输出电压摆幅宽、负阻参数可通过输入端电压(或电流)进行调节、便于和其他器件联用等。故有可能通过改变输入电压控制其输出端负阻特性以影响其振荡频率特性,这将为这一器件的广泛应用提供有利条件。 下面我介绍的是一种新型三端电压控制型负阻器件 二 基本原理 负阻特性：就是指在I-V特性曲线上出现了负斜率区域。它又可分成两种形式:电流控制型负阻特性如图1，即在I-V特性曲线上，对应于某一电压值存在多个电流值，或者说负阻区由某一电流范围确定，曲线呈“s”型；电压控制型负阻特性如图2，即在I一V特性曲线上，对应于某一电流值存在多个电压值，或者说负阻区由某一电压范围确定，曲线呈“N”或“∧”型. 基本原理 如图2，三端电压控制型负阻器件的一般性工作原理可以归结为:运用正反馈的概念，通过一定的物理机制或一个反馈器件，使产生负阻特性的主器件(双极或场效应器件)输出端电流随输出端电压的增长而减小，于是在主器件的输出端I一v特性曲线上出现一负斜率区，从而得到微分负阻效应。 如果产生负阻的主器件为一双极晶体管，而且负阻发生在Ic-Vc’特性上，则上述产生负阻的条件在数学上可表示为: 为一递减函数。但对双极管而言: ，为共发射极电流放大倍数，假设晶体管的EARLY效应很小， 为一递减函数。这就是说，欲使器件产生负阻效应，则必须设法通过一定的物理机制或一反馈器件，使双极主器件的基极电流IB随其VCE的增长而减小 基本原理 如果产生负阻的主器件为一Mos场效应晶体管，而且负阻IDS-VDS发生在特性上，则发生负阻的必要条件可写成: 为一递减函数。由于MOS晶体管有: 线性区 饱和区 式中 ， w和L分别为沟道宽度和长度。IDS和VGS式均表明场随场的增长而增长，故应有: 为一递减函数。上式表明:欲使一Mos管在IDS-VDS特性上产生负阻，必须通过一定的 反馈机制使其栅源电压随源漏电压增长而减少。 以上就是双极管和Mos管发生负现在这些区域内，这就是三端电压控制型负阻器件的一般性工作原理。 三 实例—— 基本结构 三 实例——电压控制型负阻特性 基于基本结构，在固定VBE条件下，器件在IC—VCE特性上呈现出电压控制“A”型负阻特性，如图1所示。 OA:正阻区 AB:负阻区（AQ为负阻Ⅰ区， QB为负阻Ⅱ区） BC:截止区 CD:击穿区 A: IP:峰值电流 VP:峰值电压 B: IV:谷值电流 VV:谷值电压 三 实例——电压控制型负阻特性的解释 当器件加一个固定的负VBE时， （1）当VCE=0时,PNP管处于饱和区，正阻区斜率由RC或PNP管饱和区电