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本科毕业设计 英文资料原文及译文 学生姓名： 　 魏 忠 雄 专 业： 集成电路设计与集成系统 指导教师： 施 敏 完成日期： 2010.3.19 用于半导体掺杂测量摘要常规的微分电容—电压(C-V)确定浓度分布的方法被局限在将C-V 数据转换成掺杂分布。在这篇文章里一个简化的模型被提出，这在重建正确的掺杂分布过程中提出要求。微分电容分布的改正算法被提出，可重建一个更好的接近真实半导体的掺杂分布。 关键词: C-V特性,耗尽近似,掺杂分布、改正算法 引言容易.。肯尼迪，Murley和Kleinfelder(KMK)了这种技术,基于耗尽 （1）ε?是半导体材料的介电常数，q是电子电荷，ω是应用电压V中的损耗宽度，C是由V和掺杂分布N(w)决定的标准微分电容。 在这篇文章里，我们在第部分讨论耗尽问题和的原则。在第，介绍得到较好掺杂C-V改正方法。泊松方程使用C-V测量作为一种技术的理论是基于耗尽的有效性即与固定的杂质相比较，两种移动的载流子浓度是；Φ表示为 (2) Φ是势垒电势差，N是半导体材料的杂质浓度。每单位面积的微分电容被定义为C=?Q/?V，恰好一个平行金属板电容器被损耗宽度w分开 (3) 从方程式(2)和(3)，在反 (4.a) 或 (4.b) 根据方程（4），杂质浓度N是由1/C2相对于Vbias曲线的斜率给定的，并且截距内电压ΦdQ为反偏的dV增加增加的变化， 并且dW 半导体耗尽宽度变化 (5) (6) 且 (7) 由方程(2),N(w)可表示为 (8) 这些已经成为广泛运用微分C-V测量技术作为决定半导体材料中杂质分布方法的基础。 Kennedy指出，假设测量多子浓度分布的微分电容技术的正确性优于测量实际杂质原子分布的技术。因此，在(8)右边的掺杂浓度N(w)应被多数载流子浓度n(w)所取代。能推出相应的由微分电容测得的相关实际杂质原子分布状态所决定的多子分布状态的表达式 (9) 此外，事实上，在中性区附近的耗尽层边缘的近似值是不确定的。这表明，当耗尽层宽度比Debye长度小三倍左右时，耗尽层近似不再存在，并却必须考虑多数载流子 (10) 因此，即使将C-V分布法作为为大多数浓度的测量法，当n(x)不均匀时它本身也是不精确的，外观标准的多数载流子浓度n可由(9)平均真实多数载流子浓度。重建的要求V+?V。这将耗尽半导体中的多子分布?n(x)，因此新的多子浓度为n(x)-?n(x) (Fig. 1)。总的电量流动变化?Q导致的电压改变?V为 ?Q = q?N (11) 而 (12) 图1(a)中由于反向偏置电压V和V+?V有些许不同，电子分布状态n(x)接近肖特基势垒耗尽层，(b)中多子分布状态的转移增量?n(x)随相反偏压的增加?V而耗尽。 由于多子的损耗，半导体材料内部的导电区域的多子数量的变化为 (13) 电压增量?V采用2次积分 (14) 每单位面积的肖特基势垒微分电容被定义为 (15) (16) x表示特定区域增加的转移多子分布状态，每单位面积微分电容的测量等同于表示微分电荷位置的测量。 认为C-V法用于发生连续小的电压阶跃时。结合i-th电压阶跃是一个在预定位置xi的耗尽多数载流子浓度分布和耗尽多数载流子Δni的总数。xi的值随?x连续增加 xi+1─xi=?x