浮雕型微光学元件的加工技术.pptVIP

若存在纵向深度误差，且各台阶的相对深度误差均为ρ 式中k为器件衍射效率的衰减因子 由k与ρ关系图可见，当相对深度误差小于10％时，衍射效率下降低于3％； 而当它大于10％时，衍射效率下降很快。 此外k随ρ的下降速度随L的增大而加快。 k 相对刻蚀深度误差ρ 元件存在横向对中误差的情况如图所示（图中只画菲涅耳一个波带）。器件表面结构不再对称的，无法用上面公式计算衍射效率，可改用矢量合成法计算衍射效率衰减因子。 取一相位矢量，其模等于元件同一台阶的横向表面积，方向角取入射该面积光波到达一级焦点处的相位值。 将有对准误差器件的所有这些相位矢量叠加，则其模与无加工误差器件的所有相位矢量和的模之比，就是衍射效率衰减因子γ。 用这种方法分别对焦距 f ＝4、6、8、15、29mm的菲涅耳透镜计算，其衍射效率衰减因子γ与对中误差关系如图所示。可见，衍射效率随对准误差呈线性衰减，衰减速度很快。 因此，对准误差是影响菲涅耳透镜衍射效率的重要因素。 若横向和纵向误差都存在，则其衰减因子应为kγ 。 结论： 由上述分析可见，对准误差是影响衍射效率的最重要因素，其次才是刻蚀深度误差。 因此，在制作过程中控制好套刻中的对准误差尤为重要。 * 扫描电子显微镜 展示的平滑的二维角 实际上就是打孔，但孔打在哪儿，打多大，就决定了透过率的分布 反应离子刻蚀 反应离子刻蚀是选择相应的化学气体，利用在等离子体腔中产生的等离子体，通过对被刻蚀基片的物理溅射轰击和化学反应双重作用，获得抗蚀剂掩蔽下的精细三维微浮雕结构。它依赖于低压放电所产生的由离子、电子和中子组成的部分电离气体。 反应气体用以进行选择性刻蚀，使光刻胶和基底的刻蚀速率不同，从而可以实现放大或缩小传递。 不同的待刻材料所选刻蚀气体的差异，可对刻蚀速率及刻蚀表面的粗糙度产生很大的影响。例如，加入氟化物气体会增大石英基片的刻蚀速率，加入氧气会增大光刻胶的刻蚀速率。 ME－3A型多功能机既可作反应离子刻蚀 ( RIE )，又可作磁增强反应离子刻蚀( MERIE )，且转换十分方便( 只需拨一下开关 )，由于有磁场的作用，它在较高真空度( 1Pa )下亦可起辉并稳定工作，因此，它不仅可用于常规的半导体干法刻蚀，还特别适用于亚微米和边沿陡直图形的刻蚀，使用不同的气体，它可刻蚀 Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、Si、poly－Si、W、WSi、Mo、石英、铌、正、负光刻胶、聚乙酰亚胺等材料。 该机型具有六路进气入口 (其中二路用于气路清洗)，采用2或4个质量流量计 ( 用户自选) 控制气流流量，因此重复性好。可自动控时。另外，该机预抽真空的时间很短 (3~5分钟)，工作效率高，操作简单。 主要技术指标： ??????? 射频功率： 10-500瓦 (可调) ??????? 真空系统：? 110升/秒 分子泵机组 ??????? 均匀性：????? ±5% (4英寸内) ????? ?? 反应室尺寸：内径 300 mm ???? ? ?? 整机尺寸：1.06×0.7×1.32 m3 台阶式二元光学元件的制作需要多次重复掩模图形转印和刻蚀(或薄膜淀积)过程，加工环节多、周期长、且对准精度难以控制。 此外，用台阶型浮雕轮廓近似连续浮雕轮廓，本身就带来误差，要减少这种近似误差，必须增加台阶数目。但随着台阶数目增加，图形线条变细，对准精度要求提高，加工更困难。 为此，研究并发展了一种直写方法，即利用可变曝光剂量的激光束或电子束直接对涂在基片表面抗蚀材料曝光，显影后在抗蚀层表面形成所要求的连续浮雕轮廓。因其一次成形，加工元件的衍射效率和制作精度较台阶型器件有较大提高。 直写技术不需要掩模板，可以在光刻胶表面直接产生浮雕轮廓，因此成为“直写”。 §4-2 直写技术 采用电子直写技术制作二元光学器件始于20世纪80年代初，首先制作的是闪耀光栅和菲涅耳透镜。所用的电子束直写设备不同于现在市场上用于IC制作的设备，而是经过改造的电子扫描显微镜。 目前常用的有电子束和激光束两种直写方法。电子束方法制作精度较高，适于加工最小水平线宽小于0.5μm的器件。激光直写方法多用于最小水平线宽大于0.5μm的器件制作。 一、激光直写 以闪耀光栅制作为例，首先由元件表面设计结构，根据抗蚀材料的显影特性计算确定表面各点所需的曝光量分布，并将该数据存入计算机，然后对基片上抗蚀剂进行扫描式逐点曝光。显影后在其表面形成连续变化的浮雕结构，恰当地选择实验参数即可得到与理想结构十分接近的浮雕结构，对其进一步刻蚀还可以将抗蚀剂表面的结构转移到基底上。 对于二元光学透镜，可以通过一次曝光、显影产生八台阶结构。 直写的最大优点是工件定位后可一次写出多相位阶数或连续相位的二元光学器件结构，而避免每次掩模套刻后要